[实用新型]一种双电容式温湿度传感器有效
| 申请号: | 201920601594.X | 申请日: | 2019-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN209894749U | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
| 发明(设计)人: | 李卫;刘启凡;陈婉翟;任青颖 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
| 主分类号: | G01N27/22 | 分类号: | G01N27/22;G01K7/34;B81B7/02 |
| 代理公司: | 32249 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 陈国强 |
| 地址: | 210003 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多晶硅电极 负电极 叉指 钝化层 电极 温湿度传感器 本实用新型 双电容式 衬底 绝缘层 湿度敏感介质 叉指结构 垂直电容 电极表面 电极形成 水平电容 依次设置 集成化 空气层 气层 温漂 响应 | ||
1.一种双电容式温湿度传感器,其特征在于:包括衬底(1),衬底上依次设置有绝缘层(2)和第一钝化层(3),第一钝化层(3)上设置有多晶硅电极(4),多晶硅电极(4)上方设置有叉指负电极(6)和叉指正电极(8),叉指正电极(8)表面覆有一层湿度敏感介质(7);叉指负电极(6)和叉指正电极(8)形成叉指结构,叉指负电极(6)和叉指正电极(8)之间有第一空气层(9),构成水平电容;所述多晶硅电极(4)包括位于叉指负电极(6)下方的第一多晶硅电极(4-1)和位于叉指正电极(8)下方的第二多晶硅电极(4-2),叉指正电极(8)与其下方的第二多晶硅电极(4-2)直接连接,叉指负电极(6)与其下方的第一多晶硅电极(4-1)之间设置有第二空气层(10),且第一多晶硅电极(4-1)上覆有第二钝化层(5),叉指负电极(6)与第一多晶硅电极(4-1)构成垂直电容。
2.根据权利要求1所述的双电容式温湿度传感器,其特征在于:所述水平电容及垂直电容为两组,并通过可动梁(14)连接,可动梁(14)分别与两组电容的叉指负电极(6)连接。
3.根据权利要求2所述的双电容式温湿度传感器,其特征在于:还包括级联梁(13),级联梁(13)与可动梁(14)连接,级联梁(13)为“H”形状,其四个端部均通过锚区(11)与衬底(1)固定。
4.根据权利要求3所述的双电容式温湿度传感器,其特征在于:所述衬底(1)上具有凹槽,级联梁(13)放置于衬底(1)的凹槽中,并且级联梁(13)与凹槽之间设置有第三空气层(12)。
5.根据权利要求1所述的双电容式温湿度传感器,其特征在于:所述衬底(1)的材质为硅。
6.根据权利要求1所述的双电容式温湿度传感器,其特征在于:所述叉指负电极(6)和叉指正电极(8)的材质为镍。
7.根据权利要求1所述的双电容式温湿度传感器,其特征在于:所述湿度敏感介质(7)的材质为氧化石墨烯。
8.根据权利要求1所述的双电容式温湿度传感器,其特征在于:所述第一钝化层(3)、第二钝化层(5)的材质为氮化硅。
9.根据权利要求1所述的双电容式温湿度传感器,其特征在于:所述绝缘层(2)的材质为二氧化硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学,未经南京邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920601594.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:湿度传感器及湿敏材料
- 下一篇:一种测量岩石交流阻抗特性的装置





