[实用新型]一种增强型器件有效
| 申请号： | 201920590552.0 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN209675293U | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 11505 北京布瑞知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孟潭<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增强型器件 氮化物异质结 本实用新型 二维电子气 垂直结构 非极性面 半极性 制备 垂直 中断 | ||
1.一种增强型器件，所述增强型器件为多层外延结构，其特征在于，所述增强型器件依次包括：
高掺杂n型氮化物层；
设于所述高掺杂n型氮化物层上的低掺杂n型氮化物层；
设于所述低掺杂n型氮化物层上的隔离层，所述隔离层之间设有沟槽；
设于所述隔离层表面以及侧壁上的氮化物沟道层；
设于所述氮化物沟道层表面以及侧壁上的氮化物势垒层；
设于所述氮化物势垒层侧壁之间的栅极结构；
设于所述氮化物势垒层表面的源电极；
设于与所述高掺杂n型氮化物层接触的漏电极。
2.根据权利要求1所述的增强型器件，其特征在于，所述栅极结构包括栅电极。
3.根据权利要求1所述的增强型器件，其特征在于，所述栅极结构包括p型半导体以及位于p型半导体上的栅电极。
4.根据权利要求1所述的增强型器件，其特征在于，所述栅极结构包括栅电极以及介质层，其中所述介质层设于栅电极与氮化物势垒层、栅电极与低掺杂n型氮化物层之间。
5.根据权利要求1所述的增强型器件，其特征在于，所述栅极结构表面暴露在外形成T型结构。
6.根据权利要求1所述的增强型器件，其特征在于，所述栅极结构被介质层覆盖，所述介质层表面被源电极覆盖，形成掩埋栅。
7.根据权利要求1所述的增强型器件，其特征在于，所述漏电极设于高掺杂n型氮化物层的背面。
8.根据权利要求1所述的增强型器件，其特征在于，所述漏电极设于高掺杂n型氮化物层的正面。
9.根据权利要求1所述的增强型器件，其特征在于，所述隔离层包括半绝缘层。
10.根据权利要求9所述的增强型器件，其特征在于，所述半绝缘层包括对氮化物层进行非故意掺杂、碳掺杂、铁掺杂、镁掺杂中一种或多种来实现。
11.根据权利要求1所述的增强型器件，其特征在于，所述高掺杂n型氮化物层、低掺杂n型氮化物层、隔离层、氮化物沟道层和氮化物势垒层为氮化镓层、铟镓氮层、铝镓氮层、铝铟氮层、铝铟镓氮层中的一种或多种的组合。
12.根据权利要求1所述的增强型器件，其特征在于，所述多层外延结构还包括形成于氮化物势垒层上的氮化物帽层，所述氮化物帽层为氮化镓层或铝镓氮层。
13.根据权利要求1所述的增强型器件，其特征在于，所述氮化物势垒层和氮化物沟道层之间设有氮化铝层。
14.根据权利要求1所述的增强型器件，其特征在于，所述隔离层之间的沟槽截面形状为U形、V形、矩形、三角形、梯形、多边形、半圆形中的一种或多种图形的组合。
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