[实用新型]图像传感器有效
| 申请号: | 201920577938.8 | 申请日: | 2019-04-25 |
| 公开(公告)号: | CN210006738U | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
| 发明(设计)人: | 李秉熙 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王琳;姚开丽 |
| 地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 滤色器元件 等离激元 金属壁 金属层 图像传感器 插置 本实用新型 开口图案 相邻像素 允许传输 周边延展 光敏区 金 银 入射光 上表面 微透镜 波长 串扰 传输 延伸 | ||
1.一种图像传感器,包括成像像素阵列,其特征在于,每个成像像素包括:
光敏区;
微透镜,所述微透镜形成在所述光敏区上方;
等离激元滤色器元件,所述等离激元滤色器元件插置在所述微透镜与所述光敏区之间;和
金属壁,所述金属壁围绕所述等离激元滤色器元件的周边延伸。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述等离激元滤色器元件包括具有多个开口的一个或多个金属层。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,所述一个或多个金属层具有上表面和下表面,并且其中所述金属壁形成在所述一个或多个金属层的所述上表面上方。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述多个开口中的每个开口从所述一个或多个金属层的所述上表面延伸到所述一个或多个金属层的所述下表面。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,所述图像传感器还包括:
材料,所述材料形成在所述一个或多个金属层的所述上表面上方的所述金属壁之间,其中所述材料包括空气。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述图像传感器还包括:
电介质层,所述电介质层插置在所述等离激元滤色器元件与所述光敏区之间。
7.一种图像传感器,包括成像像素阵列,其特征在于,每个成像像素包括:
光敏区;
微透镜,所述微透镜形成在所述光敏区上方;和
等离激元滤色器元件,所述等离激元滤色器元件插置在所述微透镜与所述光敏区之间,其中所述等离激元滤色器元件具有带有多个开口的至少一个金属层以及环绕所述至少一个金属层的金属壁。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,其中,所述至少一个金属层包含选自以下项的材料:金、银、铂、铝和铜,其中所述金属壁包含选自以下项的材料:金、银、铂、铝和铜,其中所述金属壁从所述至少一个金属层的上表面朝所述微透镜向上延伸,并且其中,所述多个开口中的每个开口具有小于2微米的宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





