[实用新型]静电放电保护电路及集成电路芯片

权利要求书

1.一种静电放电保护电路，应用于集成电路芯片中，所述集成电路芯片包括：供电端、信号输入端和接地端，其特征在于，所述静电放电保护电路包括：第一保护电路及第二保护电路；所述第一保护电路包括：第一NMOS管；所述第二保护电路包括：电容、第二NMOS管及第三NMOS管；

其中，所述电容的一端电连接至所述供电端，所述电容的另一端电连接至所述第三NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极电连接至所述接地端，所述第三NMOS管的栅极电连接至所述供电端；

其中，所述第一NMOS管的漏极电连接至所述信号输入端，所述第一NMOS管的源极电连接至所述接地端，所述第一NMOS管的栅极电连接至所述第三NMOS管的漏极；

其中，所述第二NMOS管的漏极电连接至所述供电端，所述第二NMOS管的源极电连接至所述接地端，所述第二NMOS管的栅极电连接至所述第三NMOS管的漏极。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，还包括第一电阻；所述第一电阻的第一端电连接至所述信号输入端。

3.根据权利要求2所述的静电放电保护电路，其特征在于，还包括：第三保护电路；所述第三保护电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管及第四NMOS管；其中，所述第一PMOS管的源极电连接至所述供电端，所述第一PMOS管的漏极电连接至所述第一电阻的第二端，所述第一PMOS管的栅极电连接至所述第二PMOS管的漏极；所述第二PMOS管的源极电连接至所述供电端，所述第二PMOS管的栅极电连接至所述接地端；所述第四NMOS管的源极电连接至所述接地端，所述第四NMOS管的漏极电连接至所述第一电阻的第二端，所述第四NMOS管的栅极电连接至所述第三NMOS管的漏极。

4.根据权利要求3所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述第三保护电路还包括：第二电阻；其中，所述第二PMOS管的栅极通过所述第二电阻电连接至所述接地端。

5.根据权利要求2所述的静电放电保护电路，其特征在于，还包括：第三保护电路；所述第三保护电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第四NMOS管及第五NMOS管；其中，所述第一PMOS管的源极电连接至所述供电端，所述第一PMOS管的漏极电连接至所述第一电阻的第二端，所述第一PMOS管的栅极电连接至所述第二PMOS管的漏极；所述第二PMOS管的源极电连接至所述供电端，所述第二PMOS管的栅极电连接至所述接地端；所述第四NMOS管的源极电连接至所述接地端，所述第四NMOS管的漏极电连接至所述第一电阻的第二端，所述第四NMOS管的栅极电连接至所述第五NMOS管的漏极；所述第五NMOS管的源极电连接至所述接地端，所述第五NMOS管的栅极电连接至所述供电端。

6.根据权利要求5所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述第三保护电路还包括：第二电阻与第三电阻；其中，所述第二PMOS管的栅极通过所述第二电阻电连接至所述接地端；所述第五NMOS管的栅极通过所述第三电阻电连接至所述供电端。

7.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，所述第一保护电路还包括：二极管，所述二极管的正极电连接至所述信号输入端，所述二极管的负极电连接至所述供电端。

8.根据权利要求1-7任一项所述的静电放电保护电路，所述第二保护电路还包括：第四电阻；其中，所述第三NMOS管的栅极通过所述第四电阻电连接至所述供电端。

9.一种集成电路芯片，其特征在于，包括：供电端、信号输入端、接地端及根据权利要求1-8任一项所述的静电放电保护电路。

10.根据权利要求9所述的集成电路芯片，其特征在于，还包括：反相器，所述反相器包括：第三PMOS管和第六NMOS管，所述第三PMOS管的源极电连接至所述供电端，所述第三PMOS管的漏极电连接至所述第六NMOS管的漏极，所述第三PMOS管的栅极通过所述静电放电保护电路的一电阻电连接至所述信号输入端，所述第六NMOS管的栅极通过所述电阻电连接至所述信号输入端，所述第六NMOS管的源极电连接至所述接地端。