[实用新型]带隙基准电压的启动电路有效

专利信息
申请号: 201920542401.8 申请日: 2019-04-21
公开(公告)号: CN210428232U 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 唐盛斌 申请(专利权)人: 苏州源特半导体科技有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215024 江苏省苏州市苏州工业园区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基准 电压 启动 电路
【权利要求书】:

1.带隙基准电压的启动电路,其特征在于,包括:

采样电流镜,串联于带隙基准电压电路的电压反馈环路中,用于输出与所述电压反馈环路的环路电流成比例的采样电流;

电流检测器,与所述采样电流镜的输出端连接,用于基于所述采样电流产生感应电压;

放大器,与所述放大器的输出端连接,以所述感应电压作为输入电压,将所述感应电压与阈值电压的差进行放大并输出;

施密特触发器,与所述放大器的输出端连接,用于将所述放大器输出的信号进行整形,输出表示带隙基准电压是否建立的使能信号的逻辑电平电压。

2.根据权利要求1所述的带隙基准电压的启动电路,其特征在于,所述采样电流镜包括:P沟道MOS管PM1及P沟道MOS管PM2;所述P沟道MOS管PM1的栅极与所述P沟道MOS管PM2的栅极连接,所述P沟道MOS管PM1的栅极与漏极相连,所述P沟道MOS管PM2的漏极与所述电流检测器连接。

3.根据权利要求1所述的带隙基准电压的启动电路,其特征在于,所述采样电流镜包括:PNP型三极管Q8及PNP型三极管Q9;所述PNP型三极管Q8的基极与所述PNP型三极管Q9的基极连接,所述PNP型三极管Q8的基极与发射极连接,所述PNP型三极管Q9的发射极与所述电流检测器连接。

4.根据权利要求2或3所述的带隙基准电压的启动电路,其特征在于,所述电流检测器为电阻R3或三极管QR3

当所述电流检测器为电阻R3时,所述电阻R3一端与所述采样电流镜的电流输出端连接,另一端接VSS,所述采样电流镜输出的采样电流在所述电阻R3上产生感应电压;

当所述电流检测器为三极管QR3时,所述三极管QR3基极和集电极均与所述采样电流镜的电流输出端连接,另一端接VSS,所述三极管QR3与所述放大器中的三极管Q5形成电流镜。

5.根据权利要求4所述的带隙基准电压的启动电路,其特征在于,所述放大器包括:电阻R4及三极管Q5;所述三极管Q5的基极与所述采样电流镜的电流输出端连接,发射极接VSS,集电极与电阻R4连接;所述放大器的低电压输出端口与所述施密特触发器的输入端口连接。

6.根据权利要求2或3所述的带隙基准电压的启动电路,其特征在于,所述电流检测器为N沟道MOS管QR3a,N沟道MOS管QR3a栅极和漏极均与所述采样电流镜的电流输出端连接,另一端接VSS,所述N沟道MOS管QR3a与所述放大器中的N沟道MOS管Q5a形成电流镜。

7.根据权利要求6所述的带隙基准电压的启动电路,其特征在于,所述放大器包括:电阻R4a及N沟道MOS管Q5a;所述N沟道MOS管Q5a的栅极与所述采样电流镜的电流输出端连接,源极接VSS,漏极与电阻R4a连接;所述放大器的低电压输出端口与所述施密特触发器的输入端口连接。

8.根据权利要求1所述的带隙基准电压的启动电路,其特征在于,还包括:提供第一偏置电流的P沟道MOS管PM3、提供第二偏置电流的P沟道MOS管PM4、回差电压设定电阻RH、启动电压设定电阻RS、回差电压设定电阻旁路开关PM6及第二偏置电流控制开关PM7;

P沟道MOS管PM3的源极及P沟道MOS管PM4的源极均与VCC连接,回差电压设定电阻旁路开关PM6及第二偏置电流控制开关PM7的栅极与施密特触发器的输出端连接;

回差电压设定电阻旁路开关PM6与回差电压设定电阻RH并联,然后再与P沟道MOS管PM3串联,形成第一路受控电流源,第一路受控电流源从P沟道MOS管PM3的源极流入,从回差电压设定电阻旁路开关PM6与回差电压设定电阻RH的并联节点流出;

第二偏置电流控制开关PM7与P沟道MOS管PM4串联,形成第二路受控电流源,第二路受控电流源从P沟道MOS管PM4流入,从第二偏置电流控制开关PM7的漏极流出;

所述第一路受控电流源与所述第二路受控电流源再并联,叠加为可控电流源,所述可控电流源自启动电压设定电阻RS一端流入,另一端流出。

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