[实用新型]一种射频偏置电路封装结构有效
| 申请号： | 201920531730.2 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN209913789U | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 阎述昱;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/213 | 分类号： | H03F3/213;H03F3/195 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 偏置电路 扼流部件 功率放大器 印刷电路板 封装部件 功率放大器模块 直流偏置电压源 封装结构 电连接 本实用新型 连接关系 射频信号 输出负载 集成度 偏置线 减小 内封 占用 覆盖 | ||
1.一种射频偏置电路封装结构，其特征在于，包括：
封装部件，所述封装部件内封装有功率放大器；
射频偏置电路，所述射频偏置电路包括射频扼流部件，所述功率放大器电连接输出负载的端口经由所述射频扼流部件电连接至直流偏置电压源；
所述封装部件覆盖所述射频扼流部件。
2.根据权利要求1所述的射频偏置电路封装结构，其特征在于，所述封装部件包括多个焊盘，所述射频扼流部件对应所述封装部件的部分焊盘所在区域设置，所述射频扼流部件与所述部分焊盘电连接。
3.根据权利要求2所述的射频偏置电路封装结构，其特征在于，所述射频扼流部件沿所述部分焊盘的排列方向延伸。
4.根据权利要求3所述的射频偏置电路封装结构，其特征在于，所述封装部件内还封装有谐振电路，所述谐振电路包括谐振电感和谐振电容，所述谐振电感的第一端电连接所述射频扼流部件的一端对应的所述焊盘，所述谐振电感的第二端电连接所述谐振电容的第一端，所述谐振电容的第二端接入固定电压。
5.根据权利要求4所述的射频偏置电路封装结构，其特征在于，所述射频扼流部件的一端对应的所述焊盘电连接所述直流偏置电压源，所述射频扼流部件的另一端对应的所述焊盘电连接所述功率放大器的漏极。
6.根据权利要求4所述的射频偏置电路封装结构，其特征在于，所述谐振电感包括键合线，和/或，所述谐振电容包括IPD。
7.根据权利要求1所述的射频偏置电路封装结构，其特征在于，所述射频扼流部件设置于印刷电路板上用于设置所述封装部件的区域，所述封装部件贴合在所述射频扼流部件上。
8.根据权利要求1所述的射频偏置电路封装结构，其特征在于，所述射频扼流部件贴合于所述封装部件上。
9.根据权利要求1所述的射频偏置电路封装结构，其特征在于，所述射频扼流部件为微带线。
10.根据权利要求1所述的射频偏置电路封装结构，其特征在于，所述封装部件为QFN封装部件或者所述封装部件为DFN封装部件。
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