[实用新型]一种二极管浸锡定位装置有效
| 申请号: | 201920523542.5 | 申请日: | 2019-04-17 |
| 公开(公告)号: | CN209471937U | 公开(公告)日: | 2019-10-08 |
| 发明(设计)人: | 孔凡伟;段花山 | 申请(专利权)人: | 山东晶导微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L29/861 |
| 代理公司: | 济宁汇景知识产权代理事务所(普通合伙) 37254 | 代理人: | 刘丽 |
| 地址: | 273100 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 二极管 浸锡 凸条 定位装置 本实用新型 第一电极 定位槽 搭接 卡件 正极 负极 表面固定 卡合连接 外壳顶板 外壳顶端 方形口 支撑力 空腔 立板 同轴 分隔 | ||
本实用新型公开了一种二极管浸锡定位装置,包括外壳,外壳的顶端固定开设有方形口,外壳顶端的两侧均固定设有卡件,外壳底端的两侧均固定设有凸条,两个凸条顶端的一侧与顶板底端的两侧搭接,顶板的表面固定开设有若干个第一电极孔,顶板的两侧均固定开设有定位槽,两个定位槽分别与两个卡件卡合连接,本实用新型一种二极管浸锡定位装置,外壳顶板底端的两侧均固定设有凸条,两个凸条顶端的一侧分别与顶板底端的两侧搭接,可对顶板提供支撑力,提高了其稳定性,外壳的内部通过立板依次分隔成若干个与第一电极孔同轴的空腔,可同时固定多个二极管,分别对二极管的正极和负极进行浸锡活动。
技术领域
本实用新型涉及一种定位装置,特别涉及一种二极管浸锡定位装置,属于二极管生产加工技术领域。
背景技术
二极管又称晶体二极管,简称二极管,另外,还有早期的真空电子二极管,二极管是一种具有单向传导电流的电子器件,在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的转导性,二极管在生产加工的过程中需经过浸锡处理,常见的二极管浸锡定位装置不便于固定和取出二极管,且常见的二极管浸锡定位装置一次浸锡数量较少,浸锡效率差。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种二极管浸锡定位装置,以解决上述背景技术中提出的常见的二极管浸锡定位装置不便于固定和取出二极管的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种二极管浸锡定位装置,包括外壳,所述外壳的顶端固定开设有方形口,所述外壳顶端的两侧均固定设有卡件,所述外壳底端的两侧均固定设有凸条,两个所述凸条顶端的一侧与顶板底端的两侧搭接,所述顶板的表面固定开设有若干个第一电极孔,所述顶板的两侧均固定开设有定位槽,两个所述定位槽分别与两个卡件卡合连接,所述外壳的内部通过立板依次分隔成若干个与第一电极孔同轴的空腔,若干个所述空腔底端的中部均固定开设有与第一电极孔相对应的第二电极孔。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述卡件包括固定座、复位弹簧、定位栓和推板,所述固定座置于外壳一侧的内部,所述固定座的一侧通过复位弹簧与连接板的一侧固定连接,所述连接板的另一侧固定设有定位栓,所述连接板的顶端与推板的底端固定连接,所述定位栓与定位槽卡合连接。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述卡件顶端的一侧固定设有凹槽。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述外壳的两侧均固定设有侧耳,两个所述侧耳的表面均固定开设有定位孔。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述顶板采用钢材质制成,所述顶板的表面镀有锌。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述空腔顶端内壁和空腔底端内壁均固定覆盖有保护垫。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型一种二极管浸锡定位装置,外壳顶板底端的两侧均固定设有凸条,两个凸条顶端的一侧分别与顶板底端的两侧搭接,可对顶板提供支撑力,提高了其稳定性,外壳的内部通过立板依次分隔成若干个与第一电极孔同轴的空腔,可同时固定多个二极管,空腔底端的中部均固定开设有与第一电极孔相对应的第二电极孔,二极管的正极和负极分别贯穿第一电极孔和第二电极孔,可分别对二极管的正极和负极进行浸锡活动,外壳顶端的两侧均固定设有卡件,两个定位槽分别与两个卡件一侧的定位栓卡合连接,便于对二极管进行定位和取出二极管,保证了二极管的稳定性,提高了浸锡效率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的剖面结构示意图;
图3为本实用新型卡件的结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





