[实用新型]同步整流电路有效

专利信息
申请号: 201920521421.7 申请日: 2019-04-17
公开(公告)号: CN209930162U 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: I·C·马西米亚尼 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: H02M7/217 分类号: H02M7/217;H02M1/08
代理公司: 11256 北京市金杜律师事务所 代理人: 王茂华
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 意大利;IT
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摘要:
搜索关键词: 场效应晶体管 源极电压 漏极 效应晶体管 栅极端子 配置 驱动场 关断 参考 接通 同步整流电路 电流流动 感测端子 驱动端子 比较器 感测 沟道 检测 申请
【权利要求书】:

1.一种同步整流电路,其特征在于,被配置为耦合到场效应晶体管,所述场效应晶体管具有源极端子与漏极端子之间的沟道以及体二极管和被配置为控制所述场效应晶体管沟道中的电流流动的栅极端子,其中所述电路包括:

感测端子,被配置为感测所述场效应晶体管的漏极至源极电压;

驱动端子,被配置为驱动所述场效应晶体管的所述栅极端子以交替地接通和关断所述场效应晶体管以提供所述场效应晶体管沟道中的经整流的电流流动;

比较器,耦合到所述感测端子,所述比较器被配置为执行所述场效应晶体管的所述漏极至源极电压与参考阈值的比较并检测所述参考阈值与所述漏极至源极电压的交替向下和向上交叉;以及

PWM信号发生器,耦合到所述比较器和所述驱动端子,所述PWM信号发生器被配置为驱动所述场效应晶体管的所述栅极端子以由于由所述漏极至源极电压对所述参考阈值的所述交替向下和向上交叉而接通和关断所述场效应晶体管。

2.根据权利要求1所述的同步整流电路,其特征在于,所述PWM信号发生器被配置为利用相对于所述参考阈值和所述漏极至源极电压的向下交叉的延迟来接通所述场效应晶体管。

3.根据权利要求1所述的同步整流电路,其特征在于,所述PWM信号发生器被配置为在超过接通时间下阈值的接通区间内保持所述场效应晶体管接通。

4.根据权利要求1所述的同步整流电路,其特征在于,还包括耦合到所述PWM信号发生器的采集电路块,其中所述采集电路块对场效应晶体管关断时间敏感,所述采集电路块耦合到所述感测端子并且被配置为利用相对于场效应晶体管关断时间的延迟来感测所述场效应晶体管的所述漏极至源极电压。

5.根据权利要求4所述的同步整流电路,其特征在于,还包括耦合到所述采集电路块的自适应网络,所述自适应网络被配置为根据在所述采集电路块处利用所述延迟感测的所述场效应晶体管的所述漏极至源极电压来控制所述场效应晶体管关断时间。

6.根据权利要求5所述的同步整流电路,其特征在于,所述自适应网络被配置为将在所述采集电路块处利用所述延迟感测的所述场效应晶体管的所述漏极至源极电压与采集阈值进行比较,以由于在所述采集电路块处利用所述延迟感测的所述场效应晶体管的所述漏极至源极电压高于所述采集阈值而引起所述场效应晶体管关断时间更早发生。

7.根据权利要求5所述的同步整流电路,其特征在于,所述自适应网络被配置为将在所述采集电路块处利用所述延迟感测的所述场效应晶体管的所述漏极至源极电压与采集阈值进行比较,以由于在所述采集电路块处利用所述延迟感测的所述场效应晶体管的所述漏极至源极电压低于所述采集阈值而引起所述场效应晶体管关断时间更晚发生。

8.根据权利要求5所述的同步整流电路,其特征在于,所述自适应网络被布置在所述采集电路块与所述比较器之间,所述自适应网络被配置为根据在所述采集电路块处利用所述延迟感测的所述场效应晶体管的所述漏极至源极电压来改变所述参考阈值。

9.根据权利要求1所述的同步整流电路,其特征在于,所述电路作为数字控制器操作。

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