[实用新型]中子捕获治疗系统及用于中子捕获治疗系统的射束整形体

权利要求书

1.一种用于中子捕获治疗系统的射束整形体，所述中子捕获治疗系统包括中子产生装置，所述中子产生装置包括加速器和靶材，所述加速器加速产生的带电粒子线与所述靶材作用产生所述中子，所述中子形成中子束，所述中子束限定一根主轴，所述射束整形体包括缓速体、反射体和辐射屏蔽体，所述缓速体将所述中子产生装置产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体包围所述缓速体并将偏离所述主轴的中子导回至所述主轴以提高超热中子束强度，所述辐射屏蔽体用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量，其特征在于，所述缓速体包括基本部分和包围所述基本部分的补充部分，所述射束整形体还包括用于支撑所述射束整形体的支撑部，所述支撑部包括围绕所述主轴的壁，所述基本部分和补充部分的材料不同并由所述壁间隔开。

2.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗系统的射束整形体，其特征在于，所述壁包括沿所述中子束方向依次设置并围绕所述中子束方向周向封闭的第一壁、第二壁及连接所述第一壁和第二壁的横板，所述横板垂直于所述中子束方向延伸，所述第一壁用于安装所述加速器的传输管，所述第二壁形成所述缓速体的基本部分的容纳腔。

3.根据权利要求2所述的用于中子捕获治疗系统的射束整形体，其特征在于，所述基本部分包括与所述中子束方向基本垂直的第一、第二端面，所述第一、第二端面沿所述中子束方向依次设置，所述第一端面设置中心孔，所述中心孔用于容纳所述传输管和靶材，所述第一壁到所述主轴的径向距离小于所述第二壁到所述主轴的径向距离。

4.根据权利要求3所述的用于中子捕获治疗系统的射束整形体，其特征在于，与所述第二端面邻接设置屏蔽板，所述屏蔽板为铅板，所述屏蔽板在所述中子束方向的厚度小于等于5cm。

5.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗系统的射束整形体，其特征在于，所述支撑部还包括将所述补充部分在围绕所述主轴的周向上分为至少两个子模块的径向隔板，所述径向隔板所在的平面延伸穿过所述主轴，所述至少两个子模块由所述径向隔板间隔开。

6.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗系统的射束整形体，其特征在于，所述补充部分包括邻接的第一、第二补充单元，所述基本部分、第一、第二补充单元的材料均不同，所述基本部分为柱状，所述第一和第二补充单元整体设置成包括至少一个锥体状的形状。

7.根据权利要求6所述的用于中子捕获治疗系统的射束整形体，其特征在于，所述第一补充单元的材料为铝合金，所述第二补充单元的材料为特氟龙或石墨。

8.根据权利要求6所述的用于中子捕获治疗系统的射束整形体，其特征在于，所述第一、第二补充单元沿所述中子束方向依次设置，所述第一、第二补充单元整体设置成两个相反方向相互邻接的锥体状。

9.根据权利要求6所述的用于中子捕获治疗系统的射束整形体，其特征在于，所述第一补充单元设置成两个相反方向相互邻接的锥体状，所述第一补充单元包括沿所述中子束方向依次设置的第一锥体部和第二锥体部，所述第一锥体部的外轮廓的径向尺寸沿所述中子束方向整体趋势逐渐变大，所述第二锥体部在所述第一锥体部外轮廓的径向尺寸最大处与所述第一锥体部连接，所述第二锥体部的外轮廓的径向尺寸沿所述中子束方向整体趋势逐渐缩小，所述第二补充单元在所述第二锥体部外轮廓的径向尺寸最小处与所述第二锥体部邻接，所述第二补充单元外轮廓的径向尺寸沿所述中子束方向整体趋势逐渐缩小。

10.根据权利要求9所述的用于中子捕获治疗系统的射束整形体，其特征在于，所述第一、第二补充单元在沿所述主轴所在的平面的横截面轮廓为不规则四边形或多边形，所述第一补充单元在所述第一锥体部具有与所述反射体接触的第一侧、在所述第二锥体部具有与所述反射体接触的第二侧和与所述第二补充单元接触的第三侧、在所述第一和第二锥体部共同具有与所述壁接触的第四侧，所述第二补充单元具有与所述第一补充单元接触的第五侧、与所述反射体接触的第六侧、与所述壁接触的第七侧，所述第三侧和第五侧邻接并作为所述第一、第二补充单元的分界面，所述分界面垂直于所述中子束方向。