[实用新型]一种自带反射碗杯的红外LED芯片

权利要求书

1.一种自带反射碗杯的红外LED芯片，其特征在于，所述红外LED芯片包括：

衬底，所述衬底划分为相对的第一区域和第二区域，所述第一区域的表面为所述衬底的正面，所述第二区域的侧壁为斜侧壁，且所述衬底从正面到背面的方向上逐渐变窄，且所述斜侧壁的高度小于所述衬底的高度；

设置在所述第一区域表面的外延层，所述外延层包括在第一方向上依次设置的N型限制层、MQW有源层、P型限制层和P型窗口层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层；

设置在所述P型窗口层背离所述P型限制层一侧的P电极；

覆盖所述第二区域的斜侧壁和背面的ODR介质层，位于所述第二区域背面的所述ODR介质层上设置有多个贯穿所述ODR介质层的通孔；

覆盖所述ODR介质层的ODR金属反射层，且填充所述通孔，其中，所述ODR金属反射层和所述ODR介质层构成反射碗杯，且所述ODR金属反射层为N电极；

其中，所述外延层暴露在外的表面和侧壁以及所述第一区域的侧壁均为粗化面。

2.根据权利要求1所述的红外LED芯片，其特征在于，所述斜侧壁的高度占所述衬底高度的5％-95％，包括端点值。

3.根据权利要求1所述的红外LED芯片，其特征在于，所述通孔的排布方式为整面阵列排布方式或边缘排布方式。

4.根据权利要求1所述的红外LED芯片，其特征在于，所述斜侧壁的倾斜角为5°-85°，包括端点值。

5.根据权利要求1所述的红外LED芯片，其特征在于，所述ODR介质层为MgF₂ODR介质层或SiO₂ODR介质层。

6.根据权利要求1所述的红外LED芯片，其特征在于，所述P型窗口层的厚度为1μm-10μm，包括端点值。

7.根据权利要求1所述的红外LED芯片，其特征在于，所述P型窗口层包括高掺杂区域和低掺杂区域；

所述低掺杂区域相邻所述P型限制层，所述高掺杂区域背离所述P型限制层。

8.根据权利要求7所述的红外LED芯片，其特征在于，所述高掺杂区域的掺杂浓度为1E19/cm³-9.9 E19/cm³。

9.根据权利要求7所述的红外LED芯片，其特征在于，所述低掺杂区域的掺杂浓度为1E18/cm³-9.9 E18/cm³。

10.根据权利要求1所述的红外LED芯片，其特征在于，所述红外LED芯片中L1＝L0-2H*cotθ；

其中，L1表示所述红外LED芯片的底部宽度；L0表示所述红外LED芯片的顶部宽度；H表示所述斜侧壁的高度；θ表示所述斜侧壁的倾斜角。