[实用新型]一种阵列基板及显示面板有效
| 申请号: | 201920509457.3 | 申请日: | 2019-04-16 |
| 公开(公告)号: | CN209675288U | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
| 发明(设计)人: | 梁文龙 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215301 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 漏极 薄膜晶体管 交叠 阵列基板 源极 本实用新型 寄生电容 像素单元 像素电压 减小 跳变 像素 相等 | ||
1.一种阵列基板,包括衬底基板,所述衬底基板上设有多个像素电极、多条数据线和多条栅极线,所述多条数据线和所述多条栅极线交叉形成多个像素单元,所述像素电极位于所述像素单元内,所述每个像素单元包括第一数据线、第二数据线、第一栅极线及第二栅极线,其特征在于,所述像素单元内还包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一源极、第一栅极以及第一漏极,所述第二薄膜晶体管包括第二源极、第二栅极以及第二漏极,所述第一漏极与所述第一栅极的交叠面积的理论值S1′与所述第二漏极与所述第二栅极的交叠面积理论值S2′之和S′与所述第一漏极与所述第一栅极的交叠面积实际值S1和所述第二漏极与所述第二栅极的交叠面积实际值S2之和S相等,所述第一漏极和所述第二漏极分别与所述像素电极连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一漏极与所述第一栅极的交叠面积S1与所述第一漏极与所述第一栅极的交叠面积的参考值S1′之差ΔS1与所述第二漏极与所述第二栅极的交叠面积S2与所述第一漏极与所述第一栅极的交叠面积的参考值S2′之差ΔS2的绝对值相等。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一漏极与所述第一栅极在所述栅极线方向交叠的长度与所述第二漏极与所述第二栅极在所述栅极线方向交叠的长度相同,所述第一源极与所述第一栅极在所述栅极线方向交叠的长度与所述第二源极与所述第二栅极在所述栅极线方向交叠的长度相同。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一漏极与所述第一栅极在所述数据线方向交叠的长度与所述第二漏极与所述第二栅极在所述数据线方向交叠的长度相同,所述第一源极与所述第一栅极在所述数据线方向交叠的长度与所述第二源极与所述第二栅极在所述数据线方向交叠的长度相同。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的源极与所述第一数据线相连,所述第二薄膜晶体管的源极与所述第二数据线相连,所述第一数据线与所述第二数据线所提供的数据信号相同。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的栅极均与所述第一栅极线连接或均与所述第二栅极线连接。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,相邻两个所述像素单元包括第一像素单元和第二像素单元,所述第一像素单元的第一栅极和所述第二栅极与所述第一栅极线连接;所述第二像素单元的第一栅极和所述第二栅极与所述第二栅极线连接。
8.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一栅极线连接,所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第二栅极线连接;所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的源极均与所述第一数据线连接或均与所述第二数据线连接。
9.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一栅极线连接,所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第二栅极线连接;所述第一薄膜晶体管的源极与所述第一数据线连接,所述第二薄膜晶体管的源极与所述第二数据线连接。
10.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-9任意一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





