[实用新型]一种基于二维半导体材料薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201920491617.6 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN209747517U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 赵天石;赵春;赵策洲;杨莉;于水长 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/445;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 32103 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 范晴<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 溶液法制备 半导体层 二维材料 电极 制备 薄膜晶体管器件 柔性集成电路 本实用新型 电子束蒸发 高性能薄膜 双氧水处理 水溶液法制 微电子器件 氧空位缺陷 剥离工艺 薄层结构 电学性能 电子传输 二硫化钨 器件性能 柔性材料 栅极图案 氮化钛 纳米簇 三电极 原子级 钛金属 晶体管 氧化铝 光刻 基底 应用 | ||
【权利要求书】：
1.基于二维半导体材料的薄膜晶体管，其特征在于，包括由下至上的六个部分：柔性衬底、栅电极、绝缘层、半导体层以及源、漏电极，所述栅电极位于柔性衬底上，且只覆盖了部分的柔性衬底，所述半导体层为二维结构WS2层；源电极和漏电极分别位于半导体层上且位于薄膜晶体管的最顶层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层为Al2O3纳米簇材料。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，栅电极为TiN/Ti叠层图案化栅电极。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述二维结构WS2半导体层厚度为5nm。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极和漏电极为TiN/Ti叠层源、漏电极。
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