[实用新型]一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件有效
| 申请号： | 201920491337.5 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN209747510U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 方欲晓;赵春;赵策洲;杨莉 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 32103 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 范晴;吴音<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物层 硅酸铪 本实用新型 抗辐射性 电极 下电极 基底 金属氧化物半导体电容器 传统半导体工艺 高介电常数材料 制备半导体器件 半导体器件 漏电 辐射环境 制备工艺 功耗 制备 兼容 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件，其特征在于：包括下电极、基底、氧化物层和上电极；所述基底下部设置有下电极；所述基底上部设置有氧化物层；所述氧化物层上面设置有上电极；所述氧化物层为硅酸铪。
2.根据权利要求1所述的一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件，其特征在于：所述氧化物层为硅酸铪薄膜，薄膜厚度为 200-300nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件，其特征在于：所述氧化物层上陈列设置有若干个上电极。
4.根据权利要求1所述的一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件，其特征在于：所述上电极为柱形金属铝薄膜层，厚度为800-900nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件，其特征在于：所述基底为硅薄膜层，厚度为280-320μm。
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