[实用新型]具有透明导电层的MWT单多晶N型TOPCON电池

权利要求书

1.一种具有透明导电层的MWT单多晶N型TOPCON电池，包括：N型衬底（1），其特征在于，所述N型衬底（1）的正面依次向上设置有P型扩散层（11）、SiO2层（12）、钝化层（16）、透明导电层（13）和正金属电极（14），所述N型衬底的背面依次向下设置有超薄遂穿SiO2层（21）、磷掺杂N型硅薄层（22），所述磷掺杂N型硅薄层（22）外设有背电场层（23）和背金属电极（24），所述透明导电层（13）上设有多个贯穿至磷掺杂N型硅薄层（22）的通孔，所述通孔内填有连接正金属电极（14）的灌孔金属电极（15），使正金属电极（14）延伸至磷掺杂N型硅薄层（22）外。

2.如权利要求1所述的具有透明导电层的MWT单多晶N型TOPCON电池，其特征在于，所述N型衬底（1）为N型单多晶硅片，所述N型单多晶硅片的厚度在150-300微米之间。

3.如权利要求1所述的具有透明导电层的MWT单多晶N型TOPCON电池，其特征在于，所述N型衬底（1）表面制绒的绒面在1-15微米之间，所述绒面的反射率在5%~25%之间。

4.如权利要求1所述的具有透明导电层的MWT单多晶N型TOPCON电池，其特征在于，所述N型衬底（1）的方块电阻在50至100欧姆/□之间。

5.如权利要求1所述的具有透明导电层的MWT单多晶N型TOPCON电池，其特征在于，所述超薄遂穿SiO2层（21）厚度为在1~30纳米之间。

6.如权利要求1所述的具有透明导电层的MWT单多晶N型TOPCON电池，其特征在于，所述SiO2层（12）的厚度在1到20纳米之间。

7.如权利要求1所述的具有透明导电层的MWT单多晶N型TOPCON电池，其特征在于，所述透明导电层（13）为ITO层或IWO层。

8.如权利要求1所述的具有透明导电层的MWT单多晶N型TOPCON电池，其特征在于，所述钝化层（16）的材质为氧化铝层和/或氮氧化硅层。