[实用新型]一种IC半导体行业用除硼超纯水系统

说明书

本实用新型公开了一种IC半导体行业用除硼超纯水系统，采用原水加热板式热换器，保证冬天时水温不低于10℃，以提高水质；采用两套并联的除硼树脂混床，一备一用，能够随时切换，提高稳定性，进一步优化水质；设置多套UV杀菌器，能够有效脱除总有机碳TOC，并配置在线TOC测试仪。通过上述方式，本实用新型能够同时产出除硼超纯水和常规超纯水，且整个过程全部实现自动化控制，效率高，运行稳定可靠，水质纯净稳定，经济实用，操作简单，使用效果好。

技术领域

本实用新型涉及化工领域，特别是涉及一种IC半导体行业用除硼超纯水系统。

背景技术

当前，水处理的重要性不断地增加，特别是在获得饮用水的领域，以及在高纯度工艺用水的生产中，对关于水的纯度做出了较高的需求，尤其是在生产高纯度工艺用水的情况下，例如：用于半导体生产的工艺用水的情况下。

在半导体的生产过程中，需更极高纯度的水用于冲洗硅片，特别是在蚀刻工艺之后。而用于生产所需高纯度水的起点是地表水，例如河水，或者地下水(例如井水)，其需要经过多段处理过程进行净化，包括：预处理部分、补给部分、以及抛光部分。

目前，预处理一般包括一个或多个用于去除粗糙以及细小颗粒的过滤步骤、以及最后用于去除交体物质和非常细小灰尘颗粒的絮凝步骤、吸附步骤(通常使用活性炭)、软化步骤和/或利用离子交换树脂和/或逆渗透膜以去除原水中矿物质的步骤。在补给部分，对经过处理的水进行除气、除去离子，并且用UV进行处理。在抛光部分，进行进一步的UV处理。除此之外，抛光一般还包括进一步的去离子过程，以及至少一个超滤步骤。

待处理的原水一般包含无机和有机成分或者杂质，其必须在处理期间尽可能地被去除。这里的成分以及杂质主要是指有机结合碳(总有机碳TOC)、硅石和硼。

现有技术中通过利用强碱性阴离子交换剂，硼通常情况下作为硼酸被去除。然而，现有的用于硼的交换剂的吸附力一般是较低的，这导致了较低的去除能力以及硼的非常早的穿透(洗脱)。而当强碱性阴离子交换剂耗尽时，硼会作为第一杂质穿透。换句话说，例如，当硅石的穿透和洗脱分别在强碱性阴离子交换剂的出口检测到时，通常情况下硼已经洗脱到至少一定的程度。因此，急需一种能够满足半导体生产企业产品需求的除硼超纯水系统。

实用新型内容

本实用新型主要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种IC半导体行业用除硼超纯水系统，能够同时产出除硼超纯水和常规超纯水，且整个过程全部实现自动化控制，效率高，运行稳定可靠，水质纯净稳定，经济实用，操作简单，使用效果好。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种IC半导体行业用除硼超纯水系统，包括：依次串联的原水箱、原水泵、初效过滤器、板式热换器、第一UV杀菌器、UF膜系统、超滤水箱、反洗水泵、过滤水泵、一级过滤器、一级高压泵、一级RO系统、PH调节系统、二级RO高压泵、二级RO系统、二级 RO水箱、EDI 供水泵、二级过滤器、EDI系统、第二UV 杀菌器、一级抛光混床、纯水箱、纯水输水泵、第三UV 杀菌器、在线TOC测试仪、以及并联设计的第一二级抛光混床、三级过滤器、四级过滤器、超纯用水点和除硼树脂抛光混床、三级过滤器、第二二级抛光混床、三级过滤器、四级过滤器、除硼超纯用水点，所述一级抛光混床为两台并联的除硼抛光混床。

在本实用新型一个较佳实施例中，所述IC半导体行业用除硼超纯水系统的总进水量≥10.5吨/小时。

在本实用新型一个较佳实施例中，所述IC半导体行业用除硼超纯水系统的进水压力≥0.3MPa。

在本实用新型一个较佳实施例中，所述EDI系统的出水水量≥5吨/小时。

在本实用新型一个较佳实施例中，所述超纯用水点为3吨/小时超纯用水点，所述除硼超纯用水点为2吨/小时除硼超纯用水点。