[实用新型]一种大功率桥式整流器的引线框架结构

说明书

本实用新型提供一种大功率桥式整流器的引线框架结构。在陶瓷基板下面覆铜箔，上面的左边自上至下竖向覆制条形铜箔，上面的右边覆制反转的L形铜箔，上面的中间，覆制二个互相嵌套的方脉冲形铜箔，在左边条形铜箔上、下平行布设二个二极管芯片，并用二个桥接片分别架接二个二极管芯片和中间二个互相嵌套的方脉冲形铜箔，在中间二个互相嵌套的方脉冲形铜箔上，上、下平行布设二个二极管芯片，并用二个桥接片架接二个二极管芯片和右边反转的L形铜箔，再用四片引脚线，在覆铜陶基板下面，分别与左边的条形铜箔、右边的反转L形铜箔以及中间二个互相嵌套的方脉冲形铜箔连接，然后用环氧树脂注塑塑封覆铜基板上面，覆铜基板下面的覆铜层露在外面。

技术领域

本实用新型涉及一种大功率桥式整流器，特别涉及25-100A的单相桥式整流器。

背景技术

传统的桥式整流器采用整体环氧树脂包封结构，如附图11所示，其采用多个引线框架K1、K2、K3.....，二极管芯片直接布设于塑封体上，因环氧树脂的导热系数太小（约0.2W/mk），为保证绝缘性，需保留一定量的环氧树脂厚度，导致器件内部芯片产生的热量不能很有效散出，而芯片能承受的温度有限（约150-175℃），这样就限制了桥式整流器的输出功率。

发明内容

针对上述传统桥式整流器存在的散热方面的问题，本实用新型提供一种大功率桥式整流器的引线框架结构。在陶瓷基板下面覆铜箔，上面的左边自上至下竖向覆制条形铜箔，上面的右边覆制反转的L形铜箔，上面的中间，覆制二个互相嵌套的方脉冲形铜箔，在左边条形铜箔上、下平行布设二个二极管芯片，并用二个桥接片分别架接二个二极管芯片和中间二个互相嵌套的方脉冲形铜箔，在中间二个互相嵌套的方脉冲形铜箔上，上、下平行布设二个二极管芯片，并用二个桥接片架接二个二极管芯片和右边反转的L形铜箔，再用四片引脚线，在覆铜陶基板下面，分别与左边的条形铜箔、右边的反转L形铜箔以及中间二个互相嵌套的方脉冲形铜箔连接，然后用环氧树脂注塑塑封覆铜基板上面，覆铜基板下面的覆铜层露在外面。

所述桥接片为Ω形。

所述环氧树脂注塑塑封覆铜基板的长宽尺寸范围为20~30mm。

所述环氧树脂注塑塑封体厚度尺寸范围为3~5mm。

所述覆铜陶瓷基板厚度范围为0.8~1.5mm。

本实用新型的优点是：突破传统桥堆设计结构，利用陶瓷的高导热性能(导热系数约30W/mk)，使产品内部的热量可以透过外露的散热片更容易且更顺畅的散出去，极大的提高了产品的散热性能，产品的输出功率（电流）可提升到100A。

附图说明

图1是本实用新型覆铜陶瓷基板正面覆铜箔电路结构图

图2是本实用新型覆铜陶瓷基板反面覆铜箔的平面图

图3是在图1的覆铜箔电路上布设二极管芯片、桥接片、引脚线图

图4是图3的侧视剖视图

图5是图3的反面示意图

图6是图3的正面截面视图

图7是塑封后产品正面的示意图

图8是图7的侧视图

图9是桥接片平面图

图10是引脚线平面图

图11是现有桥式整流器引线框架结构截面图

图中标号说明：