[实用新型]一种μLED电流模式像素驱动电路系统有效

专利信息
申请号: 201920467471.1 申请日: 2019-04-09
公开(公告)号: CN210112328U 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 琚晶;刘洪云;李起鸣 申请(专利权)人: 上海显耀显示科技有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08;G09G3/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200013 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 电流 模式 像素 驱动 电路 系统
【权利要求书】:

1.一种μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,包括:参考电流产生电路、像素电流驱动单元、计数器、8位SRAM单元和比较器;

参考电流产生电路,用于产生参考电流;

像素电流驱动单元,包括级联电流镜电路和开关控制管;级联电流镜电路作为参考电流产生电路的镜像分支,与所述参考电流产生电路的电流保持相同;所述参考电流产生电路为恒流电路;

比较器将8位SRAM单元所存储的数据与计数器的信号数据相比较,并且将8位像素灰度信息数据转换为PWM信号;PWM信号控制开关控制管的通断时间。

2.根据权利要求1所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述级联电流镜电路具体包括:相互串联的第零MOS管,第一MOS管和第二MOS管,其中第零MOS管接电源,第二MOS管接μLED,第一MOS管夹设于第零MOS管和第二MOS管之间;所述第一MOS管的栅端接所述SRAM单元。

3.根据权利要求2所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述计数器采用RAMP发生器,所述PWM信号通过1bit SRAM输出器来输出;其中,

所述8位SRAM单元的一端与比较器相连,另一端连接图像信号端;

所述RAMP发生器连接比较器;

所述比较器接收并且比较来自所述8位SRAM单元的帧信号和所述RAMP发生器的斜坡信号;当所述帧信号和所述斜坡信号相同时,发送1bit PWM信号给1bit SRAM输出器;

所述1bit SRAM输出器与所述比较器相连,接收来自所述比较器的1bit PWM信号并且将其发送到所述第一MOS管的栅端;

所述第一MOS管的栅端接收来自所述1bit SRAM的信号后,所述第一MOS管导通或关断。

4.根据权利要求2所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述参考电流产生电路具体包括:相互串联的第三MOS管,第四MOS管和第五MOS管;其中,第五MOS管接电源,第三MOS管接参考电流,第四MOS管接地;第四MOS管夹设于第三MOS管和第五MOS管之间;第三MOS管的栅端与第二MOS管的栅端连接;第五MOS管的栅端与第零MOS管的栅端连接。

5.根据权利要求4所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,第零MOS管、所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第五MOS管、所述第四MOS管、所述第三MOS管均为同一类型MOS管。

6.根据权利要求5所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,第零MOS管、所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第五MOS管、所述第四MOS 管、所述第三MOS管均为PMOS管。

7.根据权利要求4所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述第三MOS管还连接一参考电流源;所述参考电流源的一端接地,另一端与所述第三MOS管的栅端以及源端连接。

8.根据权利要求6所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述第五MOS管的栅端与第四MOS管的漏端连接。

9.根据权利要求6所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述第零MOS管的漏端接电源,所述第零MOS管的源端接所述第一MOS管的漏端,所述第一MOS管的源端接所述第二MOS管的漏端,所述第二MOS管的源端接μLED。

10.根据权利要求6所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述第五MOS管的漏端接电源,所述第五MOS管的源端接所述第四MOS管的漏端,所述第四MOS管的漏端接所述第三MOS管的源端。

11.根据权利要求1所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述参考电流产生电路位于像素外部,所述级联电流镜电路位于像素内。

12.根据权利要求1所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述参考电流产生电路为一条,所述级联电流镜电路为多条,多条所述级联电流镜电路连接μLED阵列。

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