[实用新型]一种μLED电流模式像素驱动电路系统有效
| 申请号: | 201920467471.1 | 申请日: | 2019-04-09 |
| 公开(公告)号: | CN210112328U | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
| 发明(设计)人: | 琚晶;刘洪云;李起鸣 | 申请(专利权)人: | 上海显耀显示科技有限公司 |
| 主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08;G09G3/32 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 200013 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 led 电流 模式 像素 驱动 电路 系统 | ||
1.一种μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,包括:参考电流产生电路、像素电流驱动单元、计数器、8位SRAM单元和比较器;
参考电流产生电路,用于产生参考电流;
像素电流驱动单元,包括级联电流镜电路和开关控制管;级联电流镜电路作为参考电流产生电路的镜像分支,与所述参考电流产生电路的电流保持相同;所述参考电流产生电路为恒流电路;
比较器将8位SRAM单元所存储的数据与计数器的信号数据相比较,并且将8位像素灰度信息数据转换为PWM信号;PWM信号控制开关控制管的通断时间。
2.根据权利要求1所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述级联电流镜电路具体包括:相互串联的第零MOS管,第一MOS管和第二MOS管,其中第零MOS管接电源,第二MOS管接μLED,第一MOS管夹设于第零MOS管和第二MOS管之间;所述第一MOS管的栅端接所述SRAM单元。
3.根据权利要求2所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述计数器采用RAMP发生器,所述PWM信号通过1bit SRAM输出器来输出;其中,
所述8位SRAM单元的一端与比较器相连,另一端连接图像信号端;
所述RAMP发生器连接比较器;
所述比较器接收并且比较来自所述8位SRAM单元的帧信号和所述RAMP发生器的斜坡信号;当所述帧信号和所述斜坡信号相同时,发送1bit PWM信号给1bit SRAM输出器;
所述1bit SRAM输出器与所述比较器相连,接收来自所述比较器的1bit PWM信号并且将其发送到所述第一MOS管的栅端;
所述第一MOS管的栅端接收来自所述1bit SRAM的信号后,所述第一MOS管导通或关断。
4.根据权利要求2所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述参考电流产生电路具体包括:相互串联的第三MOS管,第四MOS管和第五MOS管;其中,第五MOS管接电源,第三MOS管接参考电流,第四MOS管接地;第四MOS管夹设于第三MOS管和第五MOS管之间;第三MOS管的栅端与第二MOS管的栅端连接;第五MOS管的栅端与第零MOS管的栅端连接。
5.根据权利要求4所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,第零MOS管、所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第五MOS管、所述第四MOS管、所述第三MOS管均为同一类型MOS管。
6.根据权利要求5所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,第零MOS管、所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第五MOS管、所述第四MOS 管、所述第三MOS管均为PMOS管。
7.根据权利要求4所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述第三MOS管还连接一参考电流源;所述参考电流源的一端接地,另一端与所述第三MOS管的栅端以及源端连接。
8.根据权利要求6所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述第五MOS管的栅端与第四MOS管的漏端连接。
9.根据权利要求6所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述第零MOS管的漏端接电源,所述第零MOS管的源端接所述第一MOS管的漏端,所述第一MOS管的源端接所述第二MOS管的漏端,所述第二MOS管的源端接μLED。
10.根据权利要求6所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述第五MOS管的漏端接电源,所述第五MOS管的源端接所述第四MOS管的漏端,所述第四MOS管的漏端接所述第三MOS管的源端。
11.根据权利要求1所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述参考电流产生电路位于像素外部,所述级联电流镜电路位于像素内。
12.根据权利要求1所述的μLED电流模式像素驱动电路系统,其特征在于,所述参考电流产生电路为一条,所述级联电流镜电路为多条,多条所述级联电流镜电路连接μLED阵列。
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