[实用新型]一种智能手机用低待机损耗的充电装置有效

专利信息
申请号: 201920459013.3 申请日: 2019-04-04
公开(公告)号: CN209462063U 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 宋祖梅;陈圣伦 申请(专利权)人: 安徽乐图电子科技有限公司
主分类号: H02J7/02 分类号: H02J7/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 237300 安徽省六安市金寨县现*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 输出整流滤波电路 充电装置 电控开关 开关控制单元 待充电装置 输入整流滤波电路 市电 本实用新型 低待机损耗 智能手机 整流滤波电路 蓄电池 输出端连接 闭合状态 充电过程 电能损耗 断开连接 断开状态 空载状态 驱动单元 吸收回路 依次连接 电连接 断开 变压器
【权利要求书】:

1.一种智能手机用低待机损耗的充电装置,包括依次连接的输入整流滤波电路(1)、吸收回路(2)、变压器(3)及输出整流滤波电路(4),市电与所述输入整流滤波电路(1)连接,待充电装置的蓄电池与所述输出整流滤波电路(4)的输出端连接,其特征在于:市电与所述输入整流滤波电路(1)之间串联有电控开关(5),所述电控开关(5)电连接有开关控制单元(6),所述开关控制单元(6)电连接有驱动单元(7),所述开关控制单元(6)用于在待充电装置与输出整流滤波电路(4)断开连接后使电控开关(5)处于断开状态,所述开关控制单元(6)还用于在待充电装置与输出整流滤波电路(4)连接充电过程中使电控开关(5)处于闭合状态,所述驱动单元(7)用于在待充电装置与所述输出整流滤波电路(4)连接进行充电前提供一段时间的导通电平至电控开关(5),使电控开关(5)处于导通状态。

2.根据权利要求1所述的一种智能手机用低待机损耗的充电装置,其特征在于:所述电控开关(5)为常开型继电器K,所述常开型继电器K的线圈与所述开关控制单元(6)连接,所述常开型继电器K的触点电连接在市电与所述输入整流滤波电路(1)之间。

3.根据权利要求2所述的一种智能手机用低待机损耗的充电装置,其特征在于:所述开关控制单元(6)包括电压采集电路、第一放大电路、第一电压比较电路及第一开关电路,所述第一电压采集电路电连接在所述输出整流滤波电路(4)与待充电装置之间,所述第一放大电路与所述电压采集电路的输出端连接,所述第一放大电路的输出端与所述第一电压比较电路连接,所述第一电压比较电路的输出端与所述第一开关电路连接。

4.根据权利要求3所述的一种智能手机用低待机损耗的充电装置,其特征在于:所述第一电压比较电路包括第一电压比较器U1、第二电阻R2及第三电阻R3,所述第二电阻R2的一端与外接电源VCC1连接,所述第二电阻R2的另一端与所述第三电阻R3的一端连接,所述第三电阻R3的另一端接地,所述第一电压比较器U1的反向端连接在第二电阻R2和第三电阻R3的连接节点上,所述第一电压比较器U1的同相端与第一放大电路的输出端连接,所述第一电压比较器U1的输出端与所述第一开关电路连接。

5.根据权利要求3所述的一种智能手机用低待机损耗的充电装置,其特征在于:所述第一开关电路包括第一电阻R1、第一电容C1及第一NPN型三极管Q1,所述第一电压比较电路的输出端与所述第一电阻R1的一端连接,所述第一电阻R1的另一端与所述第一NPN型三极管Q1的基极b连接,所述第一NPN型三极管Q1的集电极c与外接电源VCC2端连接,所述常开型继电器K的线圈串联在外接电源VCC1端与所述第一NPN型三极管Q1的集电极c之间,所述第一NPN型三极管Q1的发射极e接地,所述第一电容C1的正极连接在第一电阻R1和第一NPN型三极管Q1的基极b的连接节点上,所述第一电容C1的负极与所述第一NPN型三极管Q1的发射极e连接。

6.根据权利要求5所述的一种智能手机用低待机损耗的充电装置,其特征在于:所述驱动单元(7)包括人体检测传感器、第二放大电路、第二电压比较电路及第二开关电路,所述人体检测传感器的输出端与所述第二放大电路连接,所述第二放大电路连接的输出端与所述第二电压比较电路连接,所述第二电压比较电路的输出端与所述第二开关电路连接,所述第二开关电路并联在所述第一开关电路上。

7.根据权利要求6所述的一种智能手机用低待机损耗的充电装置,其特征在于:所述人体检测传感器为红外热释电传感器。

8.根据权利要求6所述的一种智能手机用低待机损耗的充电装置,其特征在于:所述第二开关电路包括第五电阻R5及第二NPN型三极管Q2,所述第二放大电路的输出端与所述第五电阻R5的一端连接,所述第五电阻R5的另一端与所述第二NPN型三极管Q2的基极b连接,所述第二NPN型三极管Q2的集电极c连接在所述第一NPN型三极管Q1的集电极c与常开型继电器K的线圈的连接节点上,所述第二NPN型三极管Q2的发射极e接地。

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