[实用新型]绝缘栅双极型晶体管以及电子设备有效
| 申请号： | 201920447809.7 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN209592045U | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 秦博;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司;深圳比亚迪微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基区 栅极结构 电阻层 发射区 漂移区 绝缘栅双极型晶体管 发射电极 电子设备 绝缘设置 双极型晶体管结构 本实用新型 构图工艺 集电区 闩锁 引入 覆盖 | ||
1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：
集电区、漂移区和基区，所述漂移区靠近所述集电区，且所述基区位于所述漂移区远离所述集电区的一侧；
发射区，所述发射区位于所述基区在远离所述漂移区的一侧；
栅极结构，所述栅极结构位于所述基区远离所述漂移区的一侧，覆盖所述基区的部分表面且与所述发射区相接触；
发射电极，所述发射电极位于所述栅极结构远离所述基区的一侧，且与所述栅极结构绝缘设置，并与所述基区相接触，
电阻层，所述电阻层位于所述基区远离所述漂移区的一侧，所述电阻层与所述发射电极、所述发射区和所述基区接触，并与所述栅极结构之间绝缘设置。
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述栅极结构为多晶硅栅，所述电阻层包括多晶硅。
3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述电阻层位于所述栅极结构以及所述发射区之间。
4.根据权利要求1-3任一项所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述电阻层覆盖所述发射区的部分表面，并且覆盖所述基区与所述发射区相邻的部分。
5.根据权利要求4所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，进一步包括绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述栅极结构以及所述电阻层，并将所述栅极结构以及所述电阻层间隔开。
6.根据权利要求5所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述发射电极覆盖所述绝缘介质层，并与所述电阻层的侧壁相接触。
7.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，进一步包括集电极，所述集电极位于所述集电区远离所述漂移区的一侧。
8.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，进一步包括场终止层。
9.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述电阻层的阻值，大于所述基区电阻的阻值。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求1-9任一项所述的绝缘栅双极型晶体管。
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