[实用新型]晶片处理系统和用于所述晶片处理系统的环流扩展器

权利要求书

1.一种晶片处理系统，其特征在于，包括：

腔室，所述腔室具有限定内部空间的壁，所述腔室中具有晶片承载器，所述晶片承载器具有周边边缘和顶表面；以及

环流扩展器，所述环流扩展器在所述腔室内围绕所述晶片承载器，所述环流扩展器具有顶表面、与所述顶表面相对的底表面、内表面和外周面，所述外周面背离所述晶片承载器并从所述顶表面延伸到所述底表面，所述外周面具有倒圆部分，所述倒圆部分靠近所述顶表面并且其半径被限定为不大于0.5英寸。

2.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，所述倒圆部分沿着所述外周面从所述顶表面延伸不超过0.5英寸。

3.根据权利要求2所述的晶片处理系统，其特征在于，所述倒圆部分沿着所述外周面从所述顶表面延伸不超过0.4英寸。

4.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，所述倒圆部分沿着所述外周面延伸不超过所述外周面的长度的20％。

5.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，所述环流扩展器的由所述顶表面和所述内表面形成的拐角基本上与所述晶片承载器的所述顶表面齐平。

6.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，所述环流扩展器的所述顶表面向上倾斜并远离所述晶片承载器的所述顶表面。

7.根据权利要求6所述的晶片处理系统，其特征在于，所述顶表面与垂直方向成60度至75度之间的角度。

8.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，所述倒圆部分的半径被限定为不大于0.5英寸。

9.根据权利要求8所述的晶片处理系统，其特征在于，所述倒圆部分的半径被限定为0.1英寸至0.5英寸。

10.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，所述外周面还具有从所述倒圆部分延伸到所述底表面的下部。

11.根据权利要求10所述的晶片处理系统，其特征在于，所述下部具有凹入部分。

12.根据权利要求10所述的晶片处理系统，其特征在于，所述下部和所述倒圆部分具有平滑的接合。

13.一种用于晶片处理系统的环流扩展器，其特征在于，所述环流扩展器包括：

顶表面；

与所述顶表面相对的底表面；

内表面；以及

外周面，所述外周面具有靠近所述顶表面的倒圆部分和靠近所述底表面的下部，所述倒圆部分的半径被限定为不大于0.5英寸并且从所述顶表面延伸不超过0.5英寸。

14.根据权利要求13所述的环流扩展器，其特征在于，所述倒圆部分的半径被限定为不大于0.4英寸并且从所述顶表面延伸不超过0.4英寸。

15.根据权利要求13所述的环流扩展器，其特征在于，所述倒圆部分和所述下部具有平滑的接合。