[实用新型]光电元器件封装结构有效
| 申请号: | 201920408524.2 | 申请日: | 2019-03-28 |
| 公开(公告)号: | CN209434209U | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
| 发明(设计)人: | 秦兆欢;苏伯顺 | 申请(专利权)人: | 郑州恒联威电气有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/054;H01L31/048 |
| 代理公司: | 河南大象律师事务所 41129 | 代理人: | 尹周 |
| 地址: | 450000 河南省郑州市高新技术产业开发区科*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金属封装 光电元器件 绝缘导热胶 封装结构 陶瓷支撑 放置槽 上表面 棱镜 顶侧 电池转换效率 本实用新型 影响太阳能 第一电极 反光棱镜 防止组件 弧形凹槽 抗反射膜 散热效率 使用寿命 凸块连接 阵列分布 漏水孔 外侧面 水气 密封 芯片 侵蚀 | ||
本实用新型公开了光电元器件封装结构,包括金属封装基座,所述金属封装基座的上表面设有放置槽,所述放置槽的外侧面底侧设有L型漏水孔,所述放置槽的内部通过凸块连接有陶瓷支撑座,所述陶瓷支撑座的顶侧设有凸透棱镜,所述凸透棱镜的底侧设有抗反射膜,所述陶瓷支撑座的顶侧设有反光棱镜,所述金属封装基座的底侧阵列分布有不少于十二个弧形凹槽,所述金属封装基座的上表面设有绝缘导热胶,且绝缘导热胶位于凸透棱镜的下方,所述绝缘导热胶的上表面设有第一电极柱,该光电元器件封装结构,增加散热效率,防止组件温度的上升,提高电池转换效率,同时,可以更好的密封,防止受到水气的侵蚀,不影响太阳能芯片的使用寿命。
技术领域
本实用新型涉及光电元器件封装技术领域,具体为光电元器件封装结构。
背景技术
聚光型太阳能电池主要利用透镜将太阳光聚集在狭小的面积上,以提高发电效率,当使用聚光型太阳能电池进行电能转换时,由于材料本身的光谱吸收能力的限制,无法百分百将光能转换成电能输出,因此,进入太阳能电池内多余的能量容易形成热能而囤积在电池中,造成组件温度的上升,导致电池内部暗电流大量上升,从而降低电池转换效率,在太阳能电池封装结构中,一般直接将太阳能芯片贴合于电路板上,并以焊线接合方式电性连接太阳能芯片与电路板,之后直接灌注环氧树脂,以隔绝太阳能芯片与外界环境的接触,然而,环氧树脂、太阳能芯片及电路板的热膨胀系数间具有一定的差异,因此长时间使用后,环氧树脂容易受到水气的侵蚀而与电路板脱离,导致无法完全覆盖太阳能芯片,而使太阳能芯片的使用寿命受到影响。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是克服现有的缺陷,提供光电元器件封装结构,增加散热效率,防止组件温度的上升,提高电池转换效率,同时,可以更好的密封,防止受到水气的侵蚀,不影响太阳能芯片的使用寿命,可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:光电元器件封装结构,包括金属封装基座,所述金属封装基座的上表面设有放置槽,所述放置槽的外侧面底侧设有L型漏水孔,所述放置槽的内部通过凸块连接有陶瓷支撑座,所述陶瓷支撑座的顶侧设有凸透棱镜,所述凸透棱镜的底侧设有抗反射膜,所述陶瓷支撑座的顶侧设有反光棱镜,所述金属封装基座的底侧阵列分布有不少于十二个弧形凹槽,所述金属封装基座的上表面设有绝缘导热胶,且绝缘导热胶位于凸透棱镜的下方,所述绝缘导热胶的上表面设有第一电极柱,所述第一电极柱的上表面设有太阳能芯片,所述太阳能芯片的左右两侧均设有第二电极柱。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述陶瓷支撑座的底侧设有矩形凹槽,所述矩形凹槽的内部设有密封圈,且密封圈与凸块对应顶接。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述金属封装基座的侧面设有固定丝柱,所述固定丝柱的内侧一端通过螺纹通孔穿过金属封装基座,所述固定丝柱的内侧一端顶接在陶瓷支撑座的侧面。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述陶瓷支撑座的内部侧面设有放置凸块,所述放置凸块位于太阳能芯片的下方。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述放置凸块16与绝缘导热胶2的上表面在同一水平面上,且放置凸块16和绝缘导热胶2相互靠近的一侧密封粘接。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本光电元器件封装结构,光照通过凸透棱镜可以使管汇聚在太阳能芯片上,反光棱镜可以防止光散出,可以提高光照强度,进而提高发电效率,当太阳能芯片温度上升时,可以使温度通过绝缘导热胶将能量传递给金属封装基座进行散热,弧形凹槽可以增加散热面,提高散热效率,更好的防止太阳能芯片温度的上升,提高电池转换效率,同时,绝缘导热胶与放置凸块粘接,可以对太阳能芯片进行密封,并通过密封圈和凸块再次进行密封,并使水汽通过L型漏水孔流出,防止受到水气的侵蚀,不影响太阳能芯片的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型A处结构放大示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





