[实用新型]RGB全彩InGaN基LED有效
| 申请号： | 201920405983.5 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN209843740U | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王晓靁;刘家桓;宋高梅 | 申请（专利权）人： | 王晓靁 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 35218 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李宁 |
| 地址： | 中国台湾台南市东区新*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板材料 超薄层 本实用新型 中介层 热膨胀 红光发光二极管 表面覆盖 材料覆盖 材料外延 单一材料 工序简化 基板表面 晶格匹配 市场推广 外延技术 制造成本 高效能 应变能 迭层 晶格 可用 绿光 全彩 匹配 应用 | ||
【权利要求书】：
1.RGB全彩InGaN基LED，其特征在于：在基板材料表面覆盖晶格匹配的2D材料超薄层作为中介层，在2D材料超薄层上成长形成InGaN系材料外延层，此2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层形成。
2.如权利要求1所述的RGB全彩InGaN基LED，其特征在于：所述2D材料是六方氮化硼hBN、石墨烯、hBNC、WS2、WSe2、MoS2或MoSe2。
3.如权利要求1所述的RGB全彩InGaN基LED，其特征在于：所述2D材料超薄层的厚度范围在0.5nm到1000nm。
4.如权利要求1所述的RGB全彩InGaN基LED，其特征在于：所述2D材料超薄层为复合层结构，顶层采用与InGaN晶格匹配的2D材料，而底层采用阻隔效果的2D材料。
5.如权利要求1所述的RGB全彩InGaN基LED，其特征在于：所述基板为蓝宝石、氧化锌ZnO、单晶硅Si、SiC、GaN、陶瓷或玻璃。
6.如权利要求1所述的RGB全彩InGaN基LED，其特征在于：所述基板和中介层之间加入金属催化层，金属催化层总厚度范围在0.5nm到3000nm，金属催化层包括Fe、Co、Ni、Au、Ag、Cu、W、Mo、Ru或Pt。
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