[实用新型]一种负离子发生器的低电压供电电路有效
| 申请号: | 201920394948.8 | 申请日: | 2019-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN209803654U | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
| 发明(设计)人: | 何明金 | 申请(专利权)人: | 广州市广鹏电子有限公司 |
| 主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 11577 北京知呱呱知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁彦峰;贺亚明 |
| 地址: | 511453 广东省广州市南沙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 放大模块 稳压模块 负反馈 负离子发生器 震荡 供电端 耦接 放大 负离子发生电路 本实用新型 低电压供电 二倍压模块 供电电源 输入电源 稳定供电 震荡电路 输出 电压低 电路 | ||
1.一种负离子发生器的低电压供电电路,包括供电端,其特征是:还包括
低压稳压模块:偶接于供电端,用于对稳定供电端输出的电压;
负反馈震荡放大模块:耦接于低压稳压模块,用于放大电压;
二倍压模块:耦接于负反馈震荡放大模块,用于输出两倍负反馈震荡放大模块放大后的电压。
2.根据权利要求1所述的一种负离子发生器的低电压供电电路,其特征是:所述低压稳压模块包括升压稳压芯片(IC1)、升压储能电感(L1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一二极管(D1),所述升压稳压芯片(IC1)的管脚耦接于供电端,所述升压稳压芯片(IC1)的管脚耦接于第一二极管(D1),所述升压稳压芯片(IC1)的管脚耦接于第二电阻(R2),所述第二电阻(R2)的另一端接地,所述升压稳压芯片(IC1)的管脚接地,所述升压储能电感(L1)的一端耦接于升压稳压模块与供电端连接的节点上,所述升压储能电感(L1)的另一端耦接于升压稳压模块与第一二极管(D1)连接的节点上,所述第一电容(C1)耦接于升压储能电感(L1)与供电端连接的节点上,所述第一电阻(R1)的一端连接在升压稳压芯片(IC1)与第二电阻(R2)连接的节点上,所述第一电阻(R1)的另一端连接有一个第二电容(C2),所述第二电容(C2)的另一端接地,所述第一二极管(D1)的另一端连接在第一电阻(R1)和第二电容(C2)耦接的节点上。
3.根据权利要求1所述的一种负离子发生器的低电压供电电路,其特征是:所述负反馈震荡放大模块包括第三电阻(R3),第四电阻(R4),第三电容(C3),第四电容(C4),第一三极管(Q1),第一变压器(T1),所述第一变压器(T1)的初级绕组连接在第一二极管(D1)与第二电容(C2)耦接的节点上,所述第一变压器(T1)的初级反馈绕组耦接于第三电阻(R3)的一端,所述第三电阻(R3)的另一端耦接于第四电阻(R4),所述第四电阻(R4)的另一端耦接于第一三极管(Q1)的基极上,所述第一三极管(Q1)的集电极连接在初级线圈的第一变压器(T1)初级主绕组上,所述第一三极管(Q1)的发射极接地,所述第三电容(C3)的一端耦接于第三电阻(R3)和第四电阻(R4)耦接的节点上,所述第三电容(C3)的另一端耦接在第一三极管(Q1)Q1的发射极于地耦接的节点上。
4.根据权利要求3所述的一种负离子发生器的低电压供电电路,其特征是:所述二倍压模块包括第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第五电容(C5)、第六电容(C6),所述第一变压器(T1)的次级线圈一端耦接于负离子发生仓(11),所述第一变压器(T1)的次级线圈一端与负离子发生仓(11)耦接的节点连接有第五电容(C5)的一端,所述第五电容(C5)的另一端耦接于第二二极管(D2),所述第二二极管(D2)的另一端耦接于第六电容(C6),所述第六电容(C6)的另一端耦接于负离子发生仓(11),所述第三二极管(D3)的一端耦接在第五电容(C5)与第二二极管(D2)耦接的节点上,所述第三二极管(D3)的另一端耦接于第六电容(C6)与负离子发生仓(11)耦接的节点上。
5.根据权利要求2所述的一种负离子发生器的低电压供电电路,其特征是:所述第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的阻值可变。
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