[实用新型]一种改善白色像素点的隔离结构有效
| 申请号： | 201920391846.0 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN209729908U | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 李晓玉;秋沉沉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 31272 上海申新律师事务所 | 代理人： | 俞涤炯<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离结构 白色像素 源区 接触式图像传感器 本实用新型 逻辑区 半导体制造技术 相邻有源区 漏电 多个器件 改变器件 器件区 污点 复数 抽取 隔离 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善白色像素点的隔离结构，适用于接触式图像传感器，所述接触式图像传感器包括复数个有源区，其特征在于，包括：
每个所述有源区上包括多个器件区及与所述器件区一一对应的逻辑区；
每个所述有源区中设有连接相邻有源区中位置对应的逻辑区的多个隔离结构。
2.根据权利要求1所述的改善白色像素点的隔离结构，其特征在于，所述隔离结构的中部至少设置一个凸起。
3.根据权利要求2所述的改善白色像素点的隔离结构，其特征在于，所述隔离结构的中部设置两个所述凸起，且两个所述凸起对称分布于所述隔离结构的两侧。
4.根据权利要求1所述的改善白色像素点的隔离结构，其特征在于，所述隔离结构由P型离子注入。
5.根据权利要求1所述的改善白色像素点的隔离结构，其特征在于，所述隔离结构连接所述逻辑区接地端。
6.根据权利要求1所述的改善白色像素点的隔离结构，其特征在于，至少两个所述有源区水平平行设置。
7.根据权利要求1所述的改善白色像素点的隔离结构，其特征在于，至少两个所述隔离结构相对于所述有源区竖直平行设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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