[实用新型]化学品槽和晶圆处理设备有效
| 申请号: | 201920385647.9 | 申请日: | 2019-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN209496826U | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
| 发明(设计)人: | 丁洋;崔亚东;王永昌;陈章晏;颜超仁 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
| 地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 化学品 体内 补水管路 磁性堵头 化学品槽 排酸 晶圆处理设备 磁力 槽体 电磁装置 排出 入水 连通 堵住 防止槽 进入槽 排出槽 从槽 掉电 盛放 出口 通电 滞留 | ||
1.一种化学品槽,其特征在于,包括:
槽体,用于盛放化学品;
补水管路,连通至所述槽体,用于向所述槽体内通入水;
排酸管路,连通至所述槽体,用于排出所述槽体内的化学品;
第一磁性堵头,设置到所述补水管路的入口,用于在磁力的作用下堵住所述补水管路的入口,防止水经由所述补水管路进入所述槽体;
第二磁性堵头,设置到所述排酸管路的出口,用于在磁力的作用下堵住所述排酸管路的出口,防止化学品经由所述排酸管路从所述槽体内排出;
电磁装置,设置于所述第一磁性堵头和第二磁性堵头之间,用于在通电时给所述第一磁性堵头和第二磁性堵头提供磁力,使所述第一磁性堵头堵住所述补水管路的入口,第二磁性堵头堵住所述排酸管路的出口。
2.根据权利要求1所述的化学品槽,其特征在于,所述第一磁性堵头包括:
第一磁铁,设置于所述补水管路的入口,用于在磁力的作用下堵住所述补水管路的入口;
第一弹簧,连接至所述第一磁铁,用于给所述第一磁铁施加将所述第一磁铁拉离所述补水管路的入口的力;
所述第二磁性堵头包括:
第二磁铁,设置于所述排酸管路的出口,用于在磁力的作用下堵住所述排酸管路的出口;
第二弹簧,连接至所述第二磁铁,用于给所述第二磁铁施加将所述第二磁铁拉离所述排酸管路的出口的力。
3.根据权利要求2所述的化学品槽,其特征在于,所述电磁装置包括:
线圈,连接至一外接电源,设置在所述第一磁铁和第二磁铁之间,用于在所述外接电源供电时产生电磁场,给所述第一磁铁和第二磁铁提供磁力。
4.根据权利要求3所述的化学品槽,其特征在于,所述第一磁铁和第二磁铁的磁极设置在同一直线上,且所述第一磁铁和第二磁铁的相同磁极相对设置。
5.根据权利要求4所述的化学品槽,其特征在于,所述线圈通电时所形成的电磁铁的磁极也在所述第一磁铁和第二磁铁的磁极所在的直线上。
6.根据权利要求2所述的化学品槽,其特征在于,所述补水管路设置在所述槽体的上方,所述排酸管路设置在所述槽体的下方。
7.根据权利要求6所述的化学品槽,其特征在于,所述电磁装置给所述第一磁铁以向下的吸引力,给所述第二磁铁以向下的排斥力;所述第一弹簧设置在所述补水管路入口的上方,用于给第一磁铁以向上的拉力,所述第二弹簧设置在所述排酸管路出口的上方,用于给第二磁铁以向上的拉力。
8.根据权利要求1所述的化学品槽,其特征在于,还包括:
循环水箱,连通至所述排酸管路,用于放置自所述槽体内排出的化学品。
9.根据权利要求1所述的化学品槽,其特征在于,还包括:
水源,连通至所述补水管路,用于提供要通入所述槽体内的水。
10.一种晶圆处理设备,其特征在于,包括:
电源,用于给所述晶圆处理设备供电;
化学品槽,包括:
槽体,用于盛放化学品;
补水管路,连通至所述槽体,用于向所述槽体内通入水;
排酸管路,连通至所述槽体,用于排出所述槽体内的化学品;
第一磁性堵头,设置到所述补水管路的入口,用于在磁力的作用下堵住所述补水管路的入口,防止水经由所述补水管路进入所述槽体;
第二磁性堵头,设置到所述排酸管路的出口,用于在磁力的作用下堵住所述排酸管路的出口,防止化学品经由所述排酸管路从所述槽体内排出;
电磁装置,设置于所述第一磁性堵头和第二磁性堵头之间,连接至所述电源,用于在通电时给所述第一磁性堵头和第二磁性堵头提供磁力,使所述第一磁性堵头堵住所述补水管路的入口,第二磁性堵头堵住所述排酸管路的出口。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920385647.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种固晶机的稳定型固晶臂结构
- 下一篇:反应腔室和晶圆处理设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





