[实用新型]一种扇出区布线结构有效
申请号: | 201920366376.2 | 申请日: | 2019-03-20 |
公开(公告)号: | CN210092083U | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 雷晓娟;李伟哲 | 申请(专利权)人: | 咸阳彩虹光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 郝梦玲 |
地址: | 712000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扇出区 布线 结构 | ||
1.一种扇出区布线结构,其特征在于,包括:
多条并列排布的扇出线;
至少一条虚设扇出线,所述虚设扇出线与所述扇出线并列排布,且位于所述扇出区中线密度较小的区域中。
2.如权利要求1所述的扇出区布线结构,其特征在于,所述扇出线的线宽均相等且相邻两条所述扇出线之间的线间距均相等时,所述虚设扇出线位于多条所述扇出线的外侧。
3.如权利要求1所述的扇出区布线结构,其特征在于,每条所述扇出线包括斜线部和直线部,所述斜线部包括第一线段和连接在所述第一线段和所述直线部之间的第二线段,所述虚设扇出线位于相邻两条所述第二线段之间。
4.如权利要求1所述的扇出区布线结构,其特征在于,所述虚设扇出线与相邻所述扇出线之间的线间距小于或等于相邻两条所述扇出线之间的线间距。
5.如权利要求1所述的扇出区布线结构,其特征在于,所述虚设扇出线的线宽小于或等于所述扇出线的线宽。
6.一种扇出区布线结构,其特征在于,包括:
多条并列排布的扇出线,其中,多条所述扇出线包括多条第一扇出线和至少一条第二扇出线,所述第二扇出线与所述第一扇出线并列排布,所述第二扇出线位于所述扇出区中线密度较小的区域,且所述第二扇出线的线宽大于所述第一扇出线的线宽。
7.如权利要求6所述的扇出区布线结构,其特征在于,所述第一扇出线的线宽均相等且相邻两条所述第一扇出线之间的线间距均相等时,所述第二扇出线位于多条所述第一扇出线的外侧。
8.如权利要求6所述的扇出区布线结构,其特征在于,所述第二扇出线与相邻所述第一扇出线之间的线间距小于或等于相邻两条所述第一扇出线之间的线间距。
9.如权利要求6所述的扇出区布线结构,其特征在于,所述第一扇出线包括第一直线部和与所述第一直线部连接的第一斜线部,所述第一斜线部包括第一线段和连接在所述第一线段和所述直线部之间的第二线段,其中,所述第二线段的线宽大于所述第一线段的线宽。
10.如权利要求9所述的扇出区布线结构,其特征在于,所述第一线段形成第一区域,所述第二线段形成第二区域,所述第一区域的线密度与所述第二区域的线密度之差的绝对值小于10%。
11.如权利要求9所述的扇出区布线结构,其特征在于,所述第二线段包括:
等宽线段,与所述第一直线部连接,所述等宽线段的线宽大于所述第一线段的线宽;
渐变线段,连接在所述第一线段和所述等宽线段之间,所述渐变线段的线宽沿所述第一线段至所述第一部分的方向逐渐增大。
12.如权利要求11所述的扇出区布线结构,其特征在于,所述渐变线段的线宽沿所述渐变线段的单侧逐渐增大。
13.如权利要求11所述的扇出区布线结构,其特征在于,所述渐变线段与所述第一线段的夹角为150°~160°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的