[实用新型]显示器件及显示装置有效
申请号: | 201920353436.7 | 申请日: | 2019-03-20 |
公开(公告)号: | CN209571417U | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 史文;陈亚文 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 林青中;向薇 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 辅助电极层 基板 像素界定层 顶电极层 凸起结构 显示器件 反射电极层 显示装置 发光层 开口 透明 本实用新型 驱动电路 整体覆盖 电连接 贯穿 覆盖 | ||
本实用新型涉及一种显示器件及显示装置,该显示器件包括基板、反射电极层、凸起结构、辅助电极层、像素界定层、发光层以及透明顶电极层;凸起结构设置在基板上,辅助电极层覆盖于凸起结构上并与驱动电路电连接,像素界定层设置在基板上并且覆盖辅助电极层,像素界定层具有贯穿至基板的第一开口和贯穿至辅助电极层第二开口,第二开口露出辅助电极层位于凸起结构的远离基板的一侧的部分,反射电极层设于基板上并位于第一开口内,发光层设置在反射电极层上,透明顶电极层整体覆盖于辅助电极层、像素界定层以及发光层上。本实用新型的显示器件及显示装置,可以增大透明顶电极层与辅助电极层的接触面积,进而提高透明顶电极层与驱动电路的连接效果。
技术领域
本实用新型涉及显示面板领域,特别是涉及一种显示器件及显示装置。
背景技术
OLED等发光器件由于具有自发光、视角广、对比度高、低功耗等优点,被应用于新一代手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等领域,受到人们的广泛关注。其中,顶发射型器件由于可以获得更大的开口率,近年来成为了研究的热点。但是,顶发射器件由于需要增加光的透过率,顶电极的厚度一般较薄,导致电极方阻较大,电压降严重,会引起显示器的发光不均匀现象。
为了改善顶发射型器件的发光均匀性,往往会引入与顶部透明电极相导通的辅助电极,通过辅助电极的高导电性来减小顶部透明电极的电压降,改善发光亮度的均匀性。由于辅助电极通常是不透光的,因此不能制备在发光区域上。目前,辅助电极一般是设置在基板上,在制作底部像素电极阵列的工序中制作,在像素界定层上设有开口供顶部透明电极通过该开口与辅助电极电连接。然而,由于像素界定层宽度有限,且该开口侧面需要设置为斜面以便顶部透明电极的沉积,使得辅助电极用于与顶部透明电极接触连接的面积较小,连接效果差。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种能够提高顶电极与辅助电极连接效果的显示器件及显示装置。
一种显示器件,包括基板、反射电极层、凸起结构、辅助电极层、像素界定层、发光层以及透明顶电极层;
所述基板具有驱动电路,所述凸起结构设置在所述基板上,所述辅助电极层覆盖于所述凸起结构上并与所述驱动电路电连接,所述像素界定层设置在所述基板上并且覆盖所述辅助电极层,所述像素界定层具有贯穿至所述基板的第一开口和贯穿至所述辅助电极层的第二开口,所述第二开口至少露出部分位于所述凸起结构上表面上的所述辅助电极层,所述反射电极层设于所述基板上并位于所述第一开口内,所述发光层设置在所述反射电极层上,所述透明顶电极层整体覆盖于所述辅助电极层、所述像素界定层以及所述发光层上。
一种显示装置,包括封装结构以及所述的显示器件,所述封装结构安装在所述显示器件上。
与现有方案相比,本实用新型具有以下有益效果:
上述显示器件及显示装置,通过在基板上设置凸起结构,将辅助电极层“垫高”,辅助电极层距离像素界定层的第二开口顶端更近,这样,可以增大透明顶电极层与辅助电极层的接触面积,进而提高透明顶电极层与驱动电路的连接效果。
另外,像素界定层的第二开口的斜面坡度可做得较小,有利于增大透明顶电极层在第二开口的斜面的沉积厚度,减小透明顶电极层方阻,有利于显示器的发光均匀性的进一步提高。
附图说明
图1为一实施例的显示器件的结构示意图;
图2为图1所示显示器件的一种制作流程示意图,其中a~d分别为各个制作步骤所获得的中间产品。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型,下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是,本实用新型可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东聚华印刷显示技术有限公司,未经广东聚华印刷显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920353436.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种图像传感器封装结构
- 下一篇:一种太阳能电池降翘曲铝背场结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的