[实用新型]一种过压及欠压保护电路有效
申请号: | 201920346418.6 | 申请日: | 2019-03-18 |
公开(公告)号: | CN209389698U | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 李葛;李绩大;弓熠帆;卢兴海;刘亚南;余楷;石朋涛;邱志胜 | 申请(专利权)人: | 上海华测导航技术股份有限公司 |
主分类号: | H02H7/12 | 分类号: | H02H7/12 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201702 上海市青浦区徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硬件设备 欠压保护电路 欠压保护 维修成本 开关管 稳压管 生产成本 本实用新型 保护芯片 第一开关 电路布局 技术效果 输入电压 保护区 截止区 导通 减小 截止 | ||
1.一种过压及欠压保护电路,其特征在于,所述保护电路包括第一稳压管、第二稳压管、第一开关管、第二开关管、第三开关管、第一电阻、第二电阻以及第三电阻;
所述第一稳压管的阴极与所述保护电路的电压输入端电连接,所述第一稳压管的阳极与所述第一开关管的控制端电连接;所述第二稳压管的阴极与所述保护电路的电压输入端电连接,所述第二稳压管的阳极与所述第一开关管的第一端电连接;所述第一电阻的第一端与所述第一开关管的控制端电连接,所述第一电阻的第二端接地,所述第一开关管的第二端接地;
所述第二开关管的第一端与所述保护电路的电压输出端电连接,所述第二开关管的第二端与所述保护电路的电压输入端电连接;
所述第三开关管的控制端与所述第一开关管的第一端电连接,所述第三开关管的第一端接地,所述第三开关管的第二端与所述第二开关管的控制端电连接;
所述第二电阻的第一端与所述第三开关管的控制端电连接,所述第二电阻的第二端接地;所述第三电阻的第一端与所述第二开关管的第二端电连接,所述第三电阻的第二端与所述第二开关管的控制端电连接。
2.根据权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述第一稳压管的稳定电压大于所述第二稳压管的稳定电压。
3.根据权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述保护电路还包括第四电阻,所述第一稳压管的阳极通过所述第四电阻与所述第一开关管的控制端电连接。
4.根据权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述保护电路还包括第五电阻,所述第二稳压管的阳极通过所述第五电阻与所述第一开关管的第一端电连接。
5.根据权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述保护电路还包括第六电阻,所述第二开关管的控制端通过所述第六电阻与所述第三开关管的第二端电连接。
6.根据权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述保护电路还包括第一电容和第二电容;
所述第一电容的第一端与所述第二开关管的第二端电连接,所述第一电容的第二端与所述第二开关管的控制端电连接;
所述第二电容的第一端与所述第三开关管的控制端电连接,所述第二电容的第二端与所述第三开关管的第一端电连接。
7.根据权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述保护电路还包括第三稳压管,所述第三稳压管的阴极与所述第二开关管的第二端电连接,所述第三稳压管的阳极与所述第二开关管的控制端电连接。
8.根据权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述第一开关管为NMOS型场效应管,所述第一开关管的控制端、第一端和第二端分别为NMOS型场效应管的栅极、漏极和源极。
9.根据权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述第二开关管为PMOS型场效应管,所述第二开关管的控制端、第一端和第二端分别为PMOS型场效应管的栅极、漏极和源极。
10.根据权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述第三开关管为NPN型的三极管,所述第三开关管的控制端、第一端和第二端分别为三极管的基极、发射极和集电极。
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