[实用新型]贴膜机构有效
申请号: | 201920342979.9 | 申请日: | 2019-03-18 |
公开(公告)号: | CN209747456U | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 谢军 | 申请(专利权)人: | 广东思沃精密机械有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张全文<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压膜 气囊 晶圆 干膜 气管 压紧组件 气泵 贴膜 充气 本实用新型 紧密压合 局部贴合 体积膨胀 贴膜机构 相对设置 贴合 压合 施加 相通 | ||
本实用新型公开了一种贴膜机构,包括第一压膜台、与第一压膜台相对设置且用于放置待贴膜产品的第二压膜台、以及设于第一压膜台的压紧组件;压紧组件包括设于第一压膜台的压膜气囊、与压膜气囊相通的压膜气管、以及与压膜气管相连的气泵。将待贴膜产品例如晶圆放置于第二压膜台上,再将干膜,放置于晶圆上,气泵通过压膜气管向压膜气囊充气,压膜气囊充气后体积膨胀并将干膜紧密压合于晶圆上,由于压膜气囊内充满气体,因此压膜气囊各处对干膜及晶圆施加的压力基本相同,使得干膜各处均与晶圆较好的贴合,避免了局部贴合效果差的问题,进而提升了将干膜压合于晶圆的效果。
技术领域
本实用新型涉及贴膜领域,尤其涉及一种贴膜机构。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电路产品。
现有的如晶圆等产品的生产过程中,需要对成品进行贴膜处理,通常为贴膜机构将干膜贴附于晶圆等产品的表面,但现有的贴膜机构对干膜的压合效果较差,晶圆各处由于受力不均匀,存在局部与干膜贴合较差的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种贴膜机构,旨在解决现有技术中,贴膜机构对干膜的压合效果较差的问题。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
贴膜机构,包括第一压膜台、与所述第一压膜台相对设置且用于放置待贴膜产品的第二压膜台、以及设于所述第一压膜台的压紧组件;所述压紧组件包括设于所述第一压膜台的压膜气囊、与所述压膜气囊相通的压膜气管、以及与所述压膜气管相连的气泵。
进一步地,所述第一压膜台开设有连通孔,所述压膜气囊与所述连通孔相通,所述压膜气管远离所述气泵的一端与所述连通孔相通。
进一步地,所述第一压膜台于所述连通孔处开设有螺纹孔,所述压膜气管上设有连接法兰,所述连接法兰开设有连接通孔,所述第一压膜台与所述连接法兰之间设有连接螺钉,所述连接螺钉贯穿所述连接通孔并与所述螺纹孔螺纹连接。
进一步地,所述连接法兰与所述第一压膜台之间设有密封垫,所述密封垫环绕所述连通孔设置。
进一步地,还包括设于所述压膜气囊与所述第一压膜台之间的第一加热组件。
进一步地,所述第一加热组件包括与所述压膜气囊热传导接触的第一导热件、以及与所述第一导热件远离所述压膜气囊的一侧相连的第一加热件。
进一步地,所述第一加热组件还包括与所述第一加热件远离所述第一导热件的一侧相连的第一隔热件。
进一步地,所述第一压膜台具有第一加热腔,所述第一加热组件设于所述第一加热腔内。
进一步地,所述第二压膜台具有第二加热腔,所述第二加热腔内设有第二加热组件。
进一步地,所述第二加热组件包括第二加热件、以及与所述第二加热件靠近所述第一压膜台的一侧相连的第二导热件。
进一步地,所述第二加热组件还包括与所述第二加热件远离所述第一压膜台的一侧相连的第二隔热件。
进一步地,还包括用于带动所述第一压膜台相对所述第二压膜台移动的压膜驱动机构;所述压膜驱动机构包括与所述第一压膜台相连的压膜升降杆、与所述压膜升降杆远离所述第一压膜台的一端相连的压膜升降板、活动端与所述压膜升降板相连的压膜升降气缸、以及与所述压膜升降气缸的固定端相连的压膜固定板。
进一步地,所述压膜驱动机构还包括设于所述压膜固定板的压膜导杆,所述压膜升降板开设有以供所述压膜导杆通过的压膜导向孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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