[实用新型]一种高频率、低相噪锁相环晶体振荡器

权利要求书

1.一种高频率、低相噪锁相环晶体振荡器，其特征在于，包括：低噪稳压电路模块、高频低噪震荡电路模块、高频低噪驱动电路模块、快速锁定电路模块以及高稳参考电路模块，所述低噪稳压电路模块分别与所述高频低噪震荡电路模块、高频低噪驱动电路模块、快速锁定电路模块以及高稳参考电路模块，为所述高频低噪震荡电路模块、高频低噪驱动电路模块、快速锁定电路模块以及高稳参考电路模块提供稳定电压，所述高频低噪驱动电路模块还与所述高频低噪震荡电路模块连接，为所述高频低噪震荡电路模块提供驱动信号，所述快速锁定电路模块还与所述高频低噪震荡电路模块连接，为所述高频低噪震荡电路模块提供稳定震荡信号，所述高稳参考电路模块与所述快速锁定电路模块连接，为所述快速锁定电路模块提供参考电压。

2.如权利要求1所述的一种高频率、低相噪锁相环晶体振荡器，其特征在于，所述低噪稳压电路模块包括稳压芯片，第一电容，第二电容，第三电容，第四电容，第五电容,第六电容，第七电容，第八电容；

所述稳压芯片的电压输入管脚分别与所述稳压芯片的电源关断管脚、第一电容的一端、第二电容的一端、第三电容的一端及外接电源连接，所述第一电容的另一端分别与所述第二电容的另一端、第三电容的另一端、稳压芯片的电源接地管脚以及接地端连接，所述稳压芯片的绕行管脚与所述第八电容的一端连接，所述第八电容的另一端接地，所述稳压芯片的电压输出管脚分别与所述第四电容的一端、第五电容的一端、第六电容的一端、第七电容的一端以及3.3V电压接口端连接，所述第四电容的另一端分别与所述第五电容的另一端、第六电容的另一端、第七电容的另一端以及接地端连接。

3.如权利要求2所述的一种高频率、低相噪锁相环晶体振荡器，其特征在于，所述稳压芯片的型号包括LP2985-3.3。

4.如权利要求1所述的一种高频率、低相噪锁相环晶体振荡器，其特征在于，所述高频低噪震荡电路模块包括高频振荡器，第九电容，第十电容，第十一电容，第十二电容，第十三电容，第十五电容，第十六电容，第十七电容，第十八电容，第二十四电容，第二十五电容，第二十六电容，第一电阻,第二电阻，第三电阻，第七电阻，第八电阻，第九电阻，第十电阻，第三电感，第四电感，第五电感,高频晶振，变容二极管；

所述高频振荡器的第1管脚分别与所述第二电阻的一端及第三电感的一端连接，所述第二电阻的另一端分别与所述第一电阻的一端及第十三电容的一端连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第十三电容的另一端、接地端连接，所述第三电感的另一端与所述第十五电容的一端连接，所述第十五电容的另一端分别与所述第十六电容的一端、第十七电容的一端连接，所述第十六电容的另一端分别与所述第九电阻的一端及接地端连接，所述第九电阻的另一端分别与所述第十七电容的另一端、高频振荡器的第二管脚及第三管脚、第八电阻的一端、第五电感的一端、第二十四电容的一端连接，所述第五电感的另一端分别与所述第二十四电容的另一端、高频晶振的一端连接，所述高频晶振的另一端与所述第四电感的一端、第二十五电容的一端连接，所述第四电感的另一端分别与所述第二十五电容的另一端、第二十六电容的一端连接，所述第二十六电容的另一端分别与所述第十电阻的一端、变容二极管的负极连接，所述第十电阻的另一端与所述快速锁定电路模块连接，所述变容二极管的正极与接地端连接，所述第八电阻的另一端分别与所述高频振荡器的第四管脚、高频振荡器的第五管脚、高频振荡器的第六管脚、第三电阻的一端、第七电阻的一端、第十八电容的一端以及高频低噪驱动电路模块连接，所述第七电阻的另一端与接地端连接，所述第十八电容的另一端与所述快速锁定电路模块的高频信号输出端连接，所述第三电阻的另一端分别与所述第九电容的一端、第十电容的一端、第十一电容的一端、第十二电容的一端、3.3V电压接口端以及高频低噪驱动电路模块连接，所述第十一电容的另一端分别与所述第十二电容的另一端及接地端连接。

5.如权利要求4所述的一种高频率、低相噪锁相环晶体振荡器，其特征在于，所述高频振荡器的型号包括UMX5N。