[实用新型]一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器

说明书

本实用新型提出的一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器，包括：处理芯片，晶振，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第四电阻，第一电容，第二电容，第三电容以及S型网络电路，采用一段S型的导线与外置参考源连接，输入参考源前经过S形网络电路，电路会信号产生微妙的变化，经放大隔离后输入的参考信号质量更好，同时会对锁相环电路中相位起到优化作用，从而对频差晶体振荡器各个性能做到简化、优化，同时体积小、经济实用性高。

技术领域

本实用新型涉及电子器件领域，特别涉及一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器。

背景技术

随着科技行业日新月异的变化，电子设备不断的更新换代，因此对各类电子元器件的各种要求就出现，例如市场有频差接近的晶体振荡器(即：10.23MHz的频点它跟10MHz就比较接近，这就是频差晶体振荡器)。而市场有到的这类晶体振荡器，一般成本高，制作复杂，周期长，它一般采用频率合成器——10MHz加一个0.23MHz合一个标称频率10.23MHz，在一个体积不太的电路空间里还要堆放很多的电子元器件方可实现此频差晶体振荡器，比较占用电路的空间位置，与电子设备的便捷化、缩小化趋势不符合，因此此类方案也无法成为主流。

实用新型内容

本实用新型提出的一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器，对频差晶体振荡器各个性能做到简化、优化，同时体积小、经济实用性高。

本实用新型为实现上述目的采用以下的技术方案：

本实用新型提供了一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器，包括：处理芯片，晶振X1，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第四电阻，第一电容，第二电容，第三电容以及S型网络电路，所述S型网络电路的一端与外置参考源连接，所述S型网络电路的另一端与所述第三电容的一端连接，所述第三电容的另一端分别与所述第三电阻的一端、处理芯片的外置参考源信号输入管脚以及第二电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端分别与所述处理芯片的接地管脚、以及接地端连接，所述第二电阻的另一端分别与所述处理芯片的电源输入管脚、处理芯片的信号输入管脚、第二电容的一端、第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端分别与第一电容的一端以及外部电源连接，所述第一电容的另一端分别与所述第二电容的另一端以及接地端连接，所述处理芯片的输出管脚与所述第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端与所述晶振的输入管脚连接，所述晶振的接地管脚与接地端连接，所述晶振的输出管脚与外部设备连接。

在本实用新型一实施例中，所述处理芯片的型号为SN74AHC1G04DCK。

在本实用新型一实施例中，所述晶振为VCXO-10.23MHz频差晶振。

在本实用新型一实施例中，所述S型网络电路由一弯曲的导线构成。

本实用新型的有益效果：

本实用新型提出的一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器，采用一段S型的导线与外置参考源连接，输入参考源前经过S形网络电路，电路会信号产生微妙的变化，经放大隔离后输入的参考信号质量更好，同时会对锁相环电路中相位起到优化作用，从而对频差晶体振荡器各个性能做到简化、优化，使振荡器具备高隔离、高抑制、低相噪的特点，同时体积小、经济实用性高。

附图说明

图1为本实用新型一实施例中一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图以及具体实施例对本实用新型做进一步说明，其中的示意性实施例以及说明仅用来解释本实用新型，但并不作为对本实用新型的限定。

需要说明的是，在本实用新型中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。