[实用新型]一种基于多晶硅薄膜晶体管的X射线平板探测器

权利要求书

1.一种基于多晶硅薄膜晶体管的X射线平板探测器，其特征在于，包括TFT背板、传感光电二极管矩阵面板、栅驱动信号电路系统、传感信号读取电路系统、图像信号处理电路系统以及外围功能电路，其中所述TFT背板采用包含多晶硅薄膜材料的TFT背板。

2.如权利要求1所述的一种基于多晶硅薄膜晶体管的X射线平板探测器，其特征在于，所述多晶硅薄膜材料的多晶硅晶化率在30～95％之间。

3.如权利要求1所述的一种基于多晶硅薄膜晶体管的X射线平板探测器，其特征在于，所述多晶硅薄膜材料的迁移率范围为10～200cm²/(V·s)。

4.如权利要求1所述的一种基于多晶硅薄膜晶体管的X射线平板探测器，其特征在于，所述TFT背板的开关器件为多晶硅薄膜晶体管，所述TFT背板还包含有传感器信号数据导线、TFT栅极信号扫描导线和偏置电压导线。

5.如权利要求4所述的一种基于多晶硅薄膜晶体管的X射线平板探测器，其特征在于，所述多晶硅薄膜晶体管的沟道长度在1～100μm之间，所述多晶硅薄膜材料的厚度在10nm～5μm之间。

6.如权利要求4所述的一种基于多晶硅薄膜晶体管的X射线平板探测器，其特征在于，所述开关器件的沟道层薄膜材料是直接沉积的多晶硅薄膜材料。

7.如权利要求6所述的一种基于多晶硅薄膜晶体管的X射线平板探测器，其特征在于，所述多晶硅薄膜材料由低温工艺制得，所述低温工艺的温度范围是20～450℃。

8.如权利要求6所述的一种基于多晶硅薄膜晶体管的X射线平板探测器，其特征在于，所述多晶硅薄膜材料由高温工艺制得，所述高温工艺的温度范围是450～900℃。

9.如权利要求4所述的一种基于多晶硅薄膜晶体管的X射线平板探测器，其特征在于，所述开关器件的沟道层薄膜材料是在沉积的非晶硅薄膜材料的基础上，进行多晶化技术处理后得到的多晶硅薄膜材料。