[实用新型]一种可切片的正六边形MWT太阳能电池正面电极结构有效

专利信息
申请号: 201920305552.1 申请日: 2019-03-12
公开(公告)号: CN209658194U 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 傅林坚;沈文杰;姚桂华;姜元涛;曹建伟;祝广辉;谢文;鲁冲昊;汤承伟 申请(专利权)人: 浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/04
代理公司: 33212 杭州中成专利事务所有限公司 代理人: 周世骏<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 311100 浙江省杭州市余杭区*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 主栅线 半片 最小单元 本实用新型 激光划片 正六边形 电极点 太阳能电池技术 载流子收集效率 电池转换效率 正面电极结构 长对角线 电流传输 对边中点 渐变结构 两侧分布 正面电极 副栅线 细栅线 连线 切片 整片
【说明书】:

实用新型涉及太阳能电池技术领域,具体是涉及一种可切片的正六边形MWT太阳能电池正面电极结构。包括MWT太阳能电池半片,MWT太阳能电池半片是由正六边形MWT太阳能电池整片的沿最长对角线激光划片或沿对边中点连线激光划片得到的;每个MWT太阳能电池半片上共有24个正面电极的最小单元结构,其中20个最小单元形状为矩形,其余4个为三角形;每个最小单元的中心设有电极点,MWT太阳能电池半片正面设有与电极点相连的主栅线,在每条主栅线的两侧分布若干副栅线。本实用新型主栅线数量较多,缩短了将细栅线上收集的电流传输到主栅线的距离。主栅线呈渐变结构,因此可以有效提升载流子收集效率和MWT电池转换效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域,具体是涉及一种可切片的正六边形MWT太阳能电池正面电极结构。

背景技术

目前,为进一步发展太阳电池产业,首要解决的问题就是要降低太阳电池的使用成本。传统太阳能电池片是方形,而制作太阳能电池片的硅棒近似为圆柱状,在切割时就会浪费部分硅材料。

MWT太阳能电池通过激光开孔将正面栅线收集的电子转移到电池的背光面,来减少遮光面积,达到提高光电转换效率的效果。而MWT太阳能电池的的载流子收集方式不同于传统的太阳能电池,使得MWT电池正面电极图案的设计至关重要。

正六边形电池片无法直接排列成矩形组件,常规方法是将所用电池片切割至四分之一片,从而排列成组件。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于克服现有技术中的不足,提供一种可切片的正六边形MWT太阳能电池正面电极结构。

为解决上述技术问题,本实用新型的解决方案是:

提供一种可切片的正六边形MWT太阳能电池正面电极结构,包括MWT太阳能电池半片,MWT太阳能电池半片是由正六边形MWT太阳能电池整片的沿最长对角线激光划片或沿对边中点连线激光划片得到的;

每个MWT太阳能电池半片上共有24个正面电极的最小单元结构,其中20个最小单元形状为矩形,其余4个为三角形;每个最小单元的中心设有电极点,MWT太阳能电池半片正面设有与电极点相连的主栅线,在每条主栅线的两侧分布若干副栅线;副栅线包括直接与电极点相连的第一副栅线和与主栅线相连的第二副栅线。

作为一种改进,电极点的横截面为圆形。

作为一种改进,主栅线为渐变结构,即距离电极点越远,栅线宽度越窄;副栅线呈等间距或非等间距分布。

作为一种改进,每个三角形的最小单元结构设有6条与电极点直接连接的主栅线,其中3条主栅线位于三角形的3条边的中点与三角形的中心之间,其余3条主栅线位于三角形的3个顶点与三角形的中心之间;

或6条主栅线位于三角形的相邻的边的中点和顶点与三角形的中心所形成的夹角的角平分线上。

作为一种改进,三角形的最小单元结构内,当其中3条主栅线位于三角形的3条边的中点与三角形的中心之间,其余3条主栅线位于三角形的3个顶点与三角形的中心之间时:第一副栅线有六条,分设于每相邻的两条主栅线间,第二副栅线平行于三角形的边,或者平行于主栅线形成的夹角的角平分线。

作为一种改进,三角形的最小单元结构内,当6条主栅线位于三角形的相邻的边的中点和顶点与三角形的中心所形成的夹角的角平分线上时,有6条直接与电极点相连的第一副栅线;其中有3条副栅线位于三角形的3条边的中点与三角形的中心之间;其余3条副栅线位于三角形的3个顶点和三角形的中心之间;在主栅线上有若干与第一副栅线平行的等间距分布的第二副栅线。

作为一种改进,每个矩形最小单元结构内,在矩形的4个顶点与矩形的中心之间设有4条与电极点直接连接的主栅线;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司,未经浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920305552.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top