[实用新型]一种电感耦合等离子体蚀刻设备

权利要求书

1.一种电感耦合等离子体蚀刻设备，其特征在于，包括：

处理腔室，上部具有电介质盖；

源线圈，通过源线圈的支撑装置设置在所述电介质盖的上方，用于将射频能量感应耦合至所述处理腔室中以在所述处理腔室中产生并维持等离子；

其中，所述源线圈的所述支撑装置包括支撑基座以及设置在所述支撑基座上的多个绝缘支撑柱，所述绝缘支撑柱以相对于所述支撑基座径向可调的方式设置在所述支撑基座上；并且

所述绝缘支撑柱包括延伸至所述处理腔室外部的调整部件以及位于所述处理腔室内部支撑所述源线圈的支撑柱部分，所述调整部件调节所述绝缘支撑柱相对所述支撑基座的径向位置。

2.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述蚀刻设备包括外壳，所述处理腔室及所述源线圈均设置在所述外壳内，所述调整部件沿所述绝缘支撑柱的径向向外延伸至所述外壳外部；

其中，所述外壳在与所述调整部件相对应的位置处设置有通孔，所述调整部件经所述通孔伸出所述外壳，并且以沿所述支撑基座的径向可移动的方式连接至所述外壳。

3.根据权利要求2所述的蚀刻设备，其特征在于，所述调整部件包括绝缘杆，所述外壳上的所述通孔的至少部分区域支撑所述绝缘杆，并且所述绝缘杆相对所述通孔可移动。

4.根据权利要求3所述的蚀刻设备，其特征在于，所述绝缘杆包括绝缘螺杆，所述绝缘螺杆与所述绝缘支撑柱可转动地连接，所述外壳中的所述通孔设置有与所述绝缘螺杆相配合的内螺纹，所述绝缘螺杆通过所述内螺纹与所述外壳连接。

5.根据权利要求2所述的蚀刻设备，其特征在于，所述调整部件延伸至所述外壳外部的末端具有操作部分。

6.根据权利要求5所述的蚀刻设备，其特征在于，所述操作部分包括楔形结构、多面体结构和圆柱形结构中的一种。

7.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述蚀刻设备还包括控制单元和驱动单元，所述控制单元接收输入的调整信号，并将所述调整信号发送所述驱动单元；所述驱动单元与所述绝缘支撑柱连接；所述绝缘支撑柱与所述支撑基座之间设置有滑轨，所述绝缘支撑柱在所述驱动单元驱动下在所述滑轨上沿所述支撑基座的径向移动。

8.根据权利要求7所述的蚀刻设备，其特征在于，还包括反射率检测装置，所述反射率检测装置对已经蚀刻完成的衬底进行反射率STD检测，如果STD检测不合格，则向所述控制单元输出所述调整信号。

9.根据权利要求7所述的蚀刻设备，其特征在于，所述控制单元包括电磁控制单元。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的蚀刻设备，其特征在于，所述支撑基座上设置有至少一个限位槽，至少一个所述绝缘支撑柱分别设置在至少一个所述限位槽内，并且所述绝缘支撑柱在所述限位槽内可移动。