[实用新型]一种高效率电流检测和限流功能的保护电路有效

专利信息
申请号: 201920293299.2 申请日: 2019-03-07
公开(公告)号: CN209709677U 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: 姚和平;支知渊;宋苗;闫苗苗 申请(专利权)人: 上海长园维安电子线路保护有限公司
主分类号: H02H9/02 分类号: H02H9/02;H02H1/00
代理公司: 31298 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 衣然<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 201202 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电路 本实用新型 电阻 限流 电流检测电路 运算放大器 传输电流 电流检测 反馈调节 恒定电流 基准电流 偏置电流 外界负载 输出 高效率 电容 短路 漏端 重载 芯片
【权利要求书】:

1.一种高效率电流检测和限流功能的保护电路,其特征在于,所述保护电路包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第一电阻R1、第二电阻RL、第一电容C1、第一运算放大器EA1。

2.根据权利要求1所述的高效率电流检测和限流功能的保护电路,其特征在于,第一NMOS管(MN1)的漏极连接基准电流IREF、第一NMOS管栅极和第三NMOS管(MN3)栅极;第一NMOS管源极连接第二NMOS管(MN2)的漏极和栅极、第四NMOS管(MN4)栅极、第六NMOS管(MN6)栅极和第一电容C1的正相端;第一NMOS管衬底接地(GND);第二NMOS管(MN2)源极和衬底接地;第一电容C1负相端接地;第三NMOS管(MN3)漏极连接第一PMOS管(MP1)的栅极和漏极,并与第二PMOS管(MP2)的栅极连接;第三NMOS管源极与第四NMOS管(MN4)漏极连接;第三NMOS管衬底、第四NMOS管源极和衬底均接地;第五NMOS管(MN5)栅极连接第七NMOS管(MN7)的栅极和漏极、第六PMOS管(MP6)的漏极;第五NMOS管漏极连接第二PMOS管(MP2)漏极和第三PMOS管(MP3)的栅极;第五NMOS管、第六NMOS管和第七NMOS管的源极和衬底均接地;第六NMOS管漏极连接第三PMOS管漏极、第四PMOS管(MP4)栅极和第五PMOS管(MP5)的栅极;第一电阻(R1)一端连接第四PMOS管的漏极,一端连接第六PMOS管的源极和衬底、第一误差放大器(EA1)的负相端;第一误差放大器输出连接至第六PMOS管栅极;第三PMOS管(MP3)和第一、第二PMOS管的源极和衬底均接VDD;第四PMOS管和第五PMOS管的源极均接IN,衬底均接VDD;输出端OUT接第五PMOS管的漏极、第一误差放大器的正相端和第二电阻(RL)的一端;第二电阻(RL)的另一端接地。

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