[实用新型]一种添加多晶硅高性能镁碳砖制备装置有效

专利信息
申请号: 201920268389.6 申请日: 2019-03-04
公开(公告)号: CN210046815U 公开(公告)日: 2020-02-11
发明(设计)人: 谈继星 申请(专利权)人: 浙江父子岭特种耐火有限公司
主分类号: B28B3/20 分类号: B28B3/20;B28B17/00
代理公司: 11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司 代理人: 李开腾
地址: 313100 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 多晶硅粉体 解聚 镁碳砖 挤压板 多晶硅 加工箱 进料区 集聚 本实用新型 制备原材料 冲击挤压 从上至下 固定设置 机构设置 往复组件 制备装置 打散 板平行 出料区 加工区 内混合 制备 挤压 摩擦 移动 加工
【说明书】:

本实用新型提供一种添加多晶硅高性能镁碳砖制备装置,其包括加工箱,加工箱从上至下依次包括进料区、加工区与出料区;解聚机构,解聚机构设置于加工区内,其包括固定设置的解聚板,相对于解聚板往复移动设置的挤压板,以及带动挤压板移动的往复组件,解聚板与挤压板平行设置,且进料区位于解聚板的正上方,其通过利用解聚板与挤压板对多晶硅粉体的冲击挤压,使多晶硅粉体之间相互摩擦,打散多晶硅粉体之间的集聚,之后再将多晶硅粉体添加到制备镁碳砖的原材料内混合,得到均匀的多晶硅高性能镁碳砖制备原材料,解决因多晶硅粉体集聚导致的多晶硅粉体在镁碳砖内分布不均的技术问题。

技术领域

本实用新型涉及热处理炉技术领域,尤其涉及一种添加多晶硅高性能镁碳砖制备装置。

背景技术

镁碳砖是以高熔点碱性氧化物氧化(镁熔点2800℃)和难以被炉渣浸润的高熔点碳素材料作为原料,添加各种非氧化物添加剂。用炭质结合剂结合而成的不烧碳复合耐火材料,镁碳砖主要用于转炉、交流电弧炉、直流电弧炉的内衬,钢包的渣线等部位,镁碳砖作为一种复合耐火材料,有效地利用了镁砂的抗渣侵蚀能力强和碳的高导热性及低膨胀性,补偿了镁砂耐剥落性差的最大缺点,其主要特点有:具有良好的耐高温性能,抗渣能力强,抗热震性好,高温蠕变低。

多晶硅因具有金刚石的结晶结构,牢固的分子内共价键,耐高温、抗氧化等特点,在高强度复合材料的制备中得以广泛的关注,将多晶硅添加到镁碳砖中,可有效地提高碳镁碳砖的的耐压强度和抗氧化性。

专利号为CN104529491B的中国专利公开了一种不同碳含量复合的镁碳砖的制备方法,属于耐火材料领域。其通过工作部分镁碳砖的制备、非工作部分的镁碳砖的制备和烘烤固化得到最终产品不同碳含量复合的镁碳砖。本发明针对低碳镁碳砖性能较差和钢水精炼过程中要求低碳化的趋势,把低碳镁碳砖和普通镁碳砖结合起来,降低低碳镁碳砖的厚度,控制加工的成本,从而满足冶炼过程和耐火材料生产的要求

但是上述专利并未解决添加多晶硅高性能镁碳砖在混合制备过程中,因多晶硅粉体集聚,出现的多晶硅在镁碳砖内分布不均的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的针对现有技术的不足提供一种添加多晶硅高性能镁碳砖制备装置,通过利用解聚板与挤压板对多晶硅粉体的冲击挤压,使多晶硅粉体之间相互摩擦,打散多晶硅粉体之间的集聚,之后再将多晶硅粉体添加到制备镁碳砖的原材料内混合,得到均匀的多晶硅高性能镁碳砖制备原材料,解决因多晶硅粉体集聚导致的多晶硅粉体在镁碳砖内分布不均的技术问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

一种添加多晶硅高性能镁碳砖制备装置,包括:

加工箱,所述加工箱从上至下依次包括进料区、加工区与出料区;

解聚机构,所述解聚机构设置于所述加工区内,其包括固定设置的解聚板,相对于所述解聚板往复移动设置的挤压板,以及带动所述挤压板移动的往复组件,所述解聚板与所述挤压板平行设置,且所述进料区位于所述解聚板的正上方作为改进,所述解聚板上均布有若干的解聚孔。

作为改进,所述解聚板上背向所述挤压板的一侧设置有若干的加强筋。

作为改进,所述挤压板上均布有若干的可弹性变形的挤压凸点

作为改进,所述往复组件包括:

滑轨,所述滑轨垂直所述挤压板设置,其固定安装于所述加工箱上;

冲头,所述冲头滑动设置于所述滑轨内,其指向所述解聚板的一端安装有所述挤压板;

连杆,所述连杆与所述冲头铰接;

曲柄,所述曲柄转动设置于所述加工箱上,其通过所述连杆带动所述冲头沿所述滑轨往复滑动。

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