[实用新型]用于承受1000W的3dB Lange耦合器

说明书

本实用新型提供了一种用于承受1000W的3dB Lange耦合器，包括基片，所述基片上设有输入端口、耦合端口、直通端口、隔离端口、多个连接在各端口之间的指状微带线及连接在指状微带线之间的键合金丝，所述隔离端口的外侧和所述输入端口的外侧之间的长度L1为8.634mm；所述输入端口的外侧和所述耦合端口的外侧之间的宽度W1为2.518mm；所述基片的高度H为1mm；所述指状微带线的宽度W3均为0.100mm；相邻的指状微带线的间距W4均为0.084mm。本实用新型提供的用于承受1000W的3dB Lange耦合器，体积小，能承受宽脉宽3ms、大占空比30％的1000W输入功率。

技术领域

本实用新型属于微波技术领域，更具体地说，是涉及一种用于承受1000W的3dBLange耦合器。

背景技术

耦合器常用于微波功率合成及吸收式限幅器的输入网络，需承受较大输入功率。3dB Lange耦合器由于采用了微带线交叉指状设计，具有体积小、频带宽、一致性好的特点得到广泛应用。但同时由于受体积尺寸限制，其微带线交叉指的宽度及间距无法太宽，导致其承受功率受到局限，无法承受千瓦量级的输入功率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于承受1000W的3dB Lange耦合器，以解决现有技术中存在的体积尺寸受限导致无法承受千瓦量级输入功率的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：提供一种用于承受1000W的3dBLange耦合器，包括基片，所述基片上设有输入端口、耦合端口、直通端口、隔离端口、多个连接在各端口之间的指状微带线以及连接在指状微带线之间的键合金丝，所述隔离端口的外侧和所述输入端口的外侧之间的长度L1为8.634mm；

所述输入端口的外侧和所述耦合端口的外侧之间的宽度W1为2.518mm；

所述基片的高度H为1mm；

所述指状微带线的宽度W3均为0.100mm；

相邻的指状微带线的间距W4均为0.084mm。

进一步地，多个所述指状微带线具体包括：

第一短指线，一端与所述输入端口的内侧连接；

第二长指线，一端与所述隔离端口的内侧连接；

第三长指线，两端分别连接所述直通端口和所述输入端口；

第四长指线，一端与所述耦合端口连接；

第五短指线，一端与所述直通端口连接；

所述第一短指线和所述第五短指线的长度L4均为3.692mm；

所述第三长指线的长度L3为7.384mm；

所述第二长指线的端部距所述输入端口内侧的距离L5为0.084mm；

所述第四长指线的端部距所述直通端口内侧的距离L5为0.084mm；

所述隔离端口、所述输入端口、所述耦合端口和所述直通端口的长度L2均相等。

进一步地，所述输入端口和所述耦合端口相邻的一侧均为斜边，所述输入端口对应处的直角边的宽度W2为0.625mm，所述耦合端口的斜边和外侧边的夹角θ＝135°；

所述隔离端口和所述直通端口相邻的一侧均为斜边，所述直通端口对应处的直角边的宽度W2为0.625mm，所述隔离端口的斜边和外侧边的夹角θ＝135°。

进一步地，所述键合金丝的直径为φ25μm。

进一步地，所述基片为Al₂O₃陶瓷基片。