[实用新型]发光二极管芯片及发光二极管有效
| 申请号： | 201920255562.9 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN209515726U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 王思博;胡欢欢;简弘安;刘宇轩;陈顺利;丁逸圣 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/46 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭玮;李双皓 |
| 地址： | 116051 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管芯片 发光二极管 电流扩展层 电流阻挡层 晶圆 分布式布拉格反射镜 发光效果 依次层叠 申请 | ||
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括依次层叠设置的发光二极管晶圆(100)、电流扩展层(200)和电流阻挡层(300)，其中，所述发光二极管晶圆(100)开设有台阶(110)；
所述发光二极管芯片还包括P电极(410)和N电极(420)，所述P电极(410)设置于所述电流扩展层(200)，所述N电极(420)设置于所述台阶(110)；
所述电流阻挡层(300)为分布式布拉格反射镜结构。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述电流阻挡层(300)包括多个电流阻挡层段(310)，所述多个电流阻挡层段(310)之间间隔设置。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述电流阻挡层(300)包括多层交叠设置的第一膜层(301)和第二膜层(302)，所述第一膜层(301)和所述第二膜层(302)的折射率不同。
4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一膜层(301)和所述第二膜层(302)的交叠总层数为4层-25层。
5.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一膜层(301)的材料为TiO2或Ti3O5，所述第二膜层(302)的材料为SiO2。
6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括所述台阶(110)开设有隔离槽(500)。
7.根据权利要求6所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述隔离槽(500)的宽度为2um-10um。
8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括：
布拉格反射层(600)，设置于所述P电极(410)和所述N电极(420)，所述布拉格反射层(600)开设有电极接触孔(610)。
9.根据权利要求8所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括：
焊盘层(700)，设置于所述布拉格反射层(600)，且通过所述电极接触孔(610)与所述P电极(410)和所述N电极(420)连接。
10.一种发光二极管，其特征在于，包括如权利要求1-9任意一项所述的发光二极管芯片(10)。
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