[实用新型]一种激光钻蚀活化通孔

说明书

本实用新型提供了一种激光钻蚀活化通孔，其激光活化的铜层可以防止二次钻蚀时使得上部通孔孔径差距较大，克服了现有技术中一步直接钻孔导致的通孔上部的孔径过宽，不能满足较大的高宽比的需要；且活化的铜层可以作为后续的电镀的种子层，且通过激光活化的铜层，其表面粗糙度较大，具有很好的附着力。

技术领域

本实用新型涉及半导体工件加工领域，属于分类号H01L23/00下，具体为一种激光钻蚀活化通孔。

背景技术

在半导体制程中，基板或器件间的上下互通互连，往往需要通孔来实现。由于尺寸逐渐缩小，较小的高宽比（截面）的通孔已经无法满足尺寸需要。在激光钻孔过程中，由于在开始钻蚀的部分（衬底的顶面）温度较高，钻蚀过快，其上部的侧壁部分也会受到持续的高温，如继续进行钻蚀，衬底顶面部分的通孔位置的孔径将远大于所述衬底底面部分的通孔位置的孔径。这在实际生产中是极为不利的。

发明内容

基于解决上述问题，本实用新型提供了一种激光钻蚀活化通孔，包括：

半导体衬底，具有相对的正面和背面；

贯通所述衬底正面和背面的通孔，所述通孔包括靠近所述正面的第一部分和靠近所述背面的第二部分，其中所述第一部分具有第一孔径D，所述第二部分具有第二孔径r；所述第一部分包括在其侧面上的激光活化的铜层以及在所述活化的铜层内导电材料，所述第二部分也填充有所述导电材料；其中，第一孔径D>第二r。

根据本实用新型的实施例，其中，10μm≤D≤25μm。

根据本实用新型的实施例，其中，5μm≤r≤15μm。

根据本实用新型的实施例，所述活化的铜层的厚度小于或等于2μm。

根据本实用新型的实施例，所述导电材料包括电镀铜、电镀镍等。

根据本实用新型的实施例，所述活化的铜层的粗糙度大于0.05μm。

根据本实用新型的实施例，在所述活化的铜层内至少包括残留的铜络合物。

本实用新型的优点如下：激光活化的铜层可以防止二次钻蚀时使得上部通孔孔径差距较大，克服了现有技术中一步直接钻孔导致的通孔上部的孔径过宽，不能满足较大的高宽比的需要；且活化的铜层可以作为后续的电镀的种子层，且通过激光活化的铜层，其表面粗糙度较大，具有很好的附着力。

附图说明

图1为本实用新型的激光钻蚀活化通孔的截面图。

具体实施方式

本实用新型的目的在于提供一种高纵宽比的通孔。

参见图1，本实用新型的激光钻蚀活化通孔，包括：

半导体衬底1，具有相对的正面和背面；

贯通所述衬底1正面和背面的通孔5，所述通孔5包括靠近所述正面的第一部分2（图1的上半部分）和靠近所述背面的第二部分3（图1的下半部分），其中所述第一部分2具有第一孔径D，所述第二部分3具有第二孔径r；所述第一部分2包括在其侧面上的激光活化的铜层4以及在所述活化的铜层4内导电材料，所述第二部分3也填充有所述导电材料；其中，第一孔径D>第二r。其中，10μm≤D≤25μm，5μm≤r≤15μm。

根据本实用新型的实施例，所述活化的铜层4的厚度小于或等于2μm。所述活化的铜层4的粗糙度大于0.05μm。所述导电材料包括电镀铜、电镀镍等。在所述活化的铜层4内至少包括残留的铜络合物。

上述激光钻蚀活化通孔的制造方法，包括如下步骤：

（1）提供一待钻孔的半导体衬底，具有相对的正面和背面；