[实用新型]芯片封装有效

专利信息
申请号: 201920232454.X 申请日: 2019-02-22
公开(公告)号: CN209929298U 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: J·S·甘地;V·海菲奇 申请(专利权)人: 赛灵思公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/528;H01L23/31;H01L25/07
代理公司: 11517 北京市君合律师事务所 代理人: 毛健;顾云峰
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 裸片 信号传输线 芯片封装 传输线 高速数据传输线 基础电阻 铜线 耦合到 振荡 电阻 减小
【权利要求书】:

1.一种芯片封装,其特征在于,所述芯片封装包括:

第一裸片;

第二裸片;

封装基片;

被安装在封装基片上的再分布层RDL,所述RDL具有连接所述第一裸片与所述第二裸片的信号传输接口,所述信号传输接口包括:

具有裸片间部分的信号传输线,所述信号传输线具有的电阻值大于铜线的等效基础电阻值EBR。

2.根据权利要求1所述的芯片封装,其特征在于,所述信号传输线的裸片间部分具有非线性路径,所述非线性路径被限定为跨过在第二裸片和第一裸片之间限定的裸片间区域。

3.根据权利要求1所述的芯片封装,其特征在于,所述信号传输线具有的电阻率大于铜的电阻率。

4.根据权利要求1所述的芯片封装,其特征在于,所述信号传输线包括:

电阻器。

5.根据权利要求1所述的芯片封装,其特征在于,所述芯片封装还包括:

在所述第二裸片和第一裸片的相对侧之间限定的裸片间区域,所述裸片间区域包括:

在第二裸片和第一裸片之间延伸的、邻近被形成在第二裸片一侧处的信号传输焊盘的第一区域;和

在第二裸片和第一裸片之间延伸的、邻近被形成在第二裸片一侧处的接地或电源焊盘的第二区域,所述信号传输线至少部分地被布置在第二区域内。

6.根据权利要求5所述的芯片封装,其特征在于,所述信号传输线的裸片间部分具有非线性路径,所述非线性路径被限定为跨过在第二裸片和第一裸片之间限定的裸片间区域。

7.根据权利要求5所述的芯片封装,其特征在于,所述信号传输线具有的电阻率大于铜的电阻率。

8.根据权利要求5所述的芯片封装,其特征在于,所述信号传输线包括:

电阻器。

9.根据权利要求1所述的芯片封装,其特征在于,所述信号传输线的裸片间部分被布置为相对于所述第二裸片面向所述第一裸片的一侧成非正交的角度。

10.根据权利要求9所述的芯片封装,其特征在于,所述信号传输线的裸片间部分具有非线性路径,所述非线性路径被限定为跨过在第二裸片和第一裸片之间限定的裸片间区域。

11.根据权利要求9所述的芯片封装,其特征在于,所述信号传输线具有的电阻率大于铜的电阻率。

12.根据权利要求9所述的芯片封装,其特征在于,所述信号传输线包括:

电阻器。

13.根据权利要求9所述的芯片封装,其特征在于,所述信号传输线是被形成在包括信号传输接口的至少两个金属层上的第一组信号传输线的一部分。

14.根据权利要求9所述的芯片封装,其特征在于,所述信号传输线是限定第一通道的第一组信号传输线的一部分,所述第一组信号传输线被形成在第一金属层上;以及

其中限定第二通道的第二组信号传输线被形成在第一金属层下面的第二金属层上的所述信号传输接口中。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛灵思公司,未经赛灵思公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920232454.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top