[实用新型]半导体桥智能驱动电路

说明书

本实用新型提供了一种半导体桥智能驱动电路，包括：控制桥塞放电的功能混合电路；向功能混合电路发送信号的处理器，所述处理器的输出端与功能混合电路的输入端电连接；与外界通信并向处理器发送指令的收发器，所述收发器、处理器、功能混合电路依序电连接，所述收发器、处理器、功能混合电路共同封装于一个高温共烧陶瓷的密封腔体内。本实用新型将功能混合电路集成在电路芯片上，具有智能控制功能，并且驱动能力强；采用单块集成电路多芯片组装的封装形式，将三个芯片封装在一个外壳中，具有体积小、重量轻、可靠性高、批量成本低等优势。

技术领域

本实用新型涉及半导体桥领域，尤其涉及半导体桥智能驱动电路。

背景技术

现有的半导体桥控制和驱动电路都是采用PCB板级分立器件构成，其体积、重量、可靠性、成本、集成度等多方面因素都制约着半导体桥控制和驱动电路的发展，现在随着集成电路的发展，急需提供一种集成度更高、体积更小、重量更轻、可靠性更高、成本更低、智能化程度更高的半导体桥驱动电路。

发明内容

本实用新型提供了一种半导体桥智能驱动电路，通过将功能混合电路集成在电路芯片上，具有智能控制功能，并且驱动能力强；MCU芯片、电路芯片、收发器芯片共同实现桥塞的控制和驱动。

实现本实用新型目的的技术方案如下：

半导体桥智能驱动电路，半导体桥智能驱动电路控制桥塞的发火系统放电，从而引燃桥塞内的火药，该半导体桥智能驱动电路包括：

控制桥塞放电的功能混合电路；

向功能混合电路发送信号的处理器，所述处理器的输出端与功能混合电路的输入端电连接；

与外界通信并向处理器发送指令的收发器，所述收发器、处理器、功能混合电路依序电连接，所述收发器、处理器、功能混合电路共同封装于一个外壳的密封腔体内，该外壳上具有多个引脚。本实用新型将功能混合电路集成在电路芯片上，具有智能控制功能，并且驱动能力强；采用单块集成电路多芯片组装的封装形式，将三个芯片封装在一个外壳中，具有体积小、重量轻、可靠性高、批量成本低等优势。

作为本实用新型的进一步改进，所述功能混合电路集成在电路芯片上，采用多芯片组装技术将所述收发器、处理器、电路芯片封装在一个高温共烧陶瓷的密闭腔体内。本实用新型采用多芯片组装技术，将三个芯片封装在一个高温共烧陶瓷的密闭腔体内。

作为本实用新型的进一步改进，所述功能混合电路包括：

驱动电路，储能电容通过驱动电路给桥塞放电，所述驱动电路与桥塞电连接；

充电电路，给储能电容充电；

慢放电电路，给储能电容放电；

储能电容，该储能电容的负极接地；

所述桥塞、充电电路、慢放电电路同时与储能电容的正极电连接，所述驱动电路、充电电路、慢放电电路同时与处理器电连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述功能混合电路还包括：与处理器电连接的电压检测电路，该电压检测电路实时监测功能混合电路的电压。

作为本实用新型的进一步改进，所述驱动电路包括三极管Q7、三极管Q8，所述三极管Q7的基极接处理器，三极管Q7的集电极接入电源，三极管Q7与三极管Q8耦合，三极管Q8的集电极连接桥塞的另一端，三极管Q8的发射极接地。本实用新型的处理器给功能混合电路一个发火驱动信号时三极管Q7、三极管Q8打开，储能电容、桥塞、三极管Q8的集电极、三极管Q8的发射极以及地形成回路，桥塞放电。

作为本实用新型的进一步改进，所述三极管Q7和三极管Q8均为NPN型三极管，所述三极管Q7的发射极接三极管Q8的基极。本实用新型的三极管Q7和三极管Q8均为NPN型三极管，所述三极管Q7的发射极接三极管Q8的基极。