[实用新型]GaN HEMT毫米波可重构天线有效
| 申请号： | 201920223295.7 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN209312994U | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 胡南;谢文青;刘建睿;赵丽新;刘爽;袁昌勇 | 申请（专利权）人： | 北京星英联微波科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01Q1/36 | 分类号： | H01Q1/36;H01Q3/00;H01Q19/06 |
| 代理公司： | 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 100084 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 左右两侧 上表面 欧姆接触金属电极 不规则周期 可重构天线 毫米波 金属条 衬底 天线 布拉格光栅结构 本实用新型 布拉格光栅 外延生长 栅金属层 制作工艺 金属层 可重构 下表面 生长 | ||
1.一种GaN HEMT毫米波可重构天线，其特征在于：包括衬底（1），所述衬底（1）上外延生长有AlN缓冲层（2），所述AlN缓冲层（2）上生长有GaN层（3），所述GaN层（3）的左右两侧设置有中间不相接触的AlGaN层（4），左右两侧的AlGaN层（4）上设置有欧姆接触金属电极（5），所述欧姆接触金属电极（5）的下表面与所述GaN层（3）相接触，所述AlGaN层（4）的上表面以及两个AlGaN层（4）之间的GaN层（3）的上表面设置有不规则周期结构的金属条（6），所述不规则周期结构的金属条形成啁啾布拉格光栅，左右两侧AlGaN层（4）的上表面的所述布拉格光栅结构通过金属层连接到一起，形成整体的栅金属层（7）。
2.如权利要求1所述的GaN HEMT毫米波可重构天线，其特征在于：所述衬底（1）为SiC衬底。
3.如权利要求1所述的GaN HEMT毫米波可重构天线，其特征在于：所述欧姆接触金属电极（5）的制作材料使用Ti、Au、Ge、Ni和/或Au。
4.如权利要求1所述的GaN HEMT毫米波可重构天线，其特征在于：所述栅金属层（7）的制作材料使用Ti、Al、Ni和/或Au。
5.如权利要求1所述的GaN HEMT毫米波可重构天线，其特征在于：所述天线工作于100GHz-300GHz，其中心频率为200GHz，对应波长为1.5mm，所述天线中AlGaN层上方的金属条间距为0.15mm到1.5mm渐变，金属条（6）宽为20微米。
6.如权利要求5所述的GaN HEMT毫米波可重构天线，其特征在于：两个AlGaN层（4）之间的金属条（6）采用固定间距，间距为0.15mm，在左右两侧AlGaN层（4）上的金属条（6）按照第一个间距0.15mm，第二个间距为0.15mm+d；第三个间距为0.15mm+2d，一直到渐变到0.15mm+nd=1.5mm；其中d=0.05mm，求得n=27，可知在左右两侧AlGaN层（4）上分别设置有28个金属条（6）。
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