[实用新型]一种白光Micro LED结构有效
申请号: | 201920201480.6 | 申请日: | 2019-02-15 |
公开(公告)号: | CN210224035U | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 刘国旭;黄志勇;申崇渝 | 申请(专利权)人: | 易美芯光(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 白光 micro led 结构 | ||
本实用新型公开了一种白光Micro LED结构,包括电路基板,在所述的电路基板等间距地均匀固晶有若干蓝光LED芯片,每三颗所述的蓝光LED芯片为一个芯片组,每个所述芯片组的两颗蓝光LED芯片上分别喷涂有红色量子点层和绿色量子点层,本实用新型的结构便于实现,能提高生产效率,减少不良率,节约成本。
技术领域
本实用新型涉及半导体显示技术领域,具体为一种白光Micro LED结构。
背景技术
Micro LED技术,即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED尺寸,如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮,将像素等级由毫米级降低至微米级。Micro LED不仅继承了传统LED高效率、高亮度、高可靠性和反应时间快的优点,还具有节能、机构简单、体积小、薄型以及发光无需背光源的特点。
量子点,又称纳米晶,是一种由Ⅱ~Ⅳ族或Ⅲ~Ⅴ族元素组成的纳米颗粒。量子点粒径一般介于1~100nm之间,可适用于小尺寸的micro-display。量子点具有电致发光与光致发光的效果,受激后可以发射荧光,颜色由材料和尺寸决定,因此,可以通过调控量子点粒径大小来改变其不同发光的波长。当量子点粒径越小,发光颜色越偏蓝色,反之越偏红色。量子点的化学成分多样,发光颜色可以覆盖整个可见区和红外光谱,且具有高能力的吸光-发光效率、很窄的半高宽、宽吸收频谱等特性,因此具有很高的色纯度和色饱和度。量子点尺寸小在纳米级别,非常适用于micro LED的白光转换应用。
实用新型内容
为了克服现有技术方案的不足,本实用新型提供一种白光Micro LED结构,本实用新型的结构便于实现,能提高生产效率,减少不良率,节约成本,能有效的解决背景技术提出的问题。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种白光Micro LED结构,包括电路基板,在所述的电路基板等间距地均匀固晶有若干蓝光LED芯片,每三颗所述的蓝光LED芯片为一个芯片组,每个所述芯片组的两颗蓝光LED芯片上分别喷涂有红色量子点层和绿色量子点层。
优选地,还包括:
所述芯片组的第一颗蓝光LED芯片喷涂红色量子点层,第二颗蓝光LED芯片喷涂绿色量子点层。
优选地,所述电路基板上所有的蓝光LED芯片视为单个芯片组的阵列。
优选地,所述红色量子点层和绿色量子点层的材质包括Ⅱ~Ⅳ族、Ⅲ~Ⅴ族或Ⅳ~Ⅴ的半导体材料。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型的结构简单,便于工艺实现,能提高生产效率,减少不良率,节约成本。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图中标号为:
1、电路基板;2、蓝光LED芯片;
R-QD、红色量子点层;G-QD、绿色量子点层。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示,本实施方式提供一种白光Micro LED结构,包括电路基板1,在所述的电路基板1等间距地均匀固晶有若干蓝光LED芯片2,每三颗所述的蓝光LED芯片2为一个芯片组,每个所述芯片组的两颗蓝光LED芯片2上分别喷涂有红色量子点层R-QD和绿色量子点层G-QD。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的