[实用新型]图像传感器有效
| 申请号： | 201920188984.9 | 申请日： | 2019-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN210006737U | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | S·伯萨克;马克·艾伦·撒弗里奇 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅层 导电焊盘 开口 填充材料 通孔 图像传感器 延伸 平行 暴露 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
硅层，所述硅层包括第一侧和第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对；
第一开口，所述第一开口从所述硅层的所述第一侧朝向所述第二侧延伸到所述硅层中；
通孔，所述通孔从所述硅层的所述第二侧延伸到所述硅层中；和
导电焊盘，所述导电焊盘在所述第一开口内，所述导电焊盘耦接到所述通孔；
其中所述第一开口包括填充材料；
其中所述填充材料的至少一部分形成与由所述硅层的所述第一侧形成的平面平行的平面；并且
其中所述导电焊盘通过第二开口暴露在所述填充材料中。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括在所述硅层与所述通孔之间的介电层。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括在所述填充材料与所述硅层之间的介电层。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括在所述填充材料与所述硅层之间的高介电常数介电层，其中所述高介电常数介电层是具有高于SiO2的介电常数的介电常数的介电层。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括从所述硅层的所述第二侧延伸到所述硅层中的第二通孔，所述第二通孔耦接到所述导电焊盘。
6.一种图像传感器，其特征在于，包括：
硅层，所述硅层包括第一侧和第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对；
第一开口，所述第一开口延伸穿过所述硅层；
第二开口，所述第二开口从所述硅层的所述第一侧延伸到所述硅层中；
通孔，所述通孔从所述硅层的所述第二侧延伸到所述硅层中；和
导电焊盘，所述导电焊盘在所述第二开口内，所述导电焊盘耦接到所述通孔；
其中所述第一开口和所述第二开口均包括填充材料；
其中所述填充材料的至少一部分形成与由所述硅层的所述第一侧形成的平面平行的平面；并且
其中所述导电焊盘通过第三开口暴露在所述填充材料中。
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，所述第一开口还包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分宽。
8.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括在所述硅层与所述通孔之间的介电层。
9.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括在所述填充材料与所述硅层之间的介电层。
10.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括在所述填充材料与所述硅层之间的高介电常数介电层，其中所述高介电常数介电层是具有高于SiO2的介电常数的介电常数的介电层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
