[实用新型]互补式金属氧化物半导体感光组件及防护玻璃模块有效

专利信息
申请号: 201920187550.7 申请日: 2019-02-03
公开(公告)号: CN209249460U 公开(公告)日: 2019-08-13
发明(设计)人: 李远智;李家铭 申请(专利权)人: 同泰电子科技股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 防护玻璃 互补式金属氧化物半导体 干膜 遮光 感光芯片 壳体 感光组件 光入射面 光学区 开口部 本实用新型 斗状 界定 圈设 正对 成型 密封 损伤 体内
【说明书】:

实用新型提供一种互补式金属氧化物半导体感光组件及防护玻璃模块,其包括一斗状的壳体、一互补式金属氧化物半导体感光芯片、一防护玻璃及一遮光干膜圈,该壳体具有一开口部,该互补式金属氧化物半导体感光芯片设于该壳体内,该防护玻璃密封该壳体的开口部,且该防护玻璃具有一光入射面,该遮光干膜圈设于该防护玻璃的光入射面,且该遮光干膜圈中界定一光学区,该光学区正对该互补式金属氧化物半导体感光芯片。藉此,其遮光干膜圈容易成型,且不易损伤防护玻璃表面。

技术领域

本实用新型是有关于一种能在防护玻璃上准确形成遮光圈的互补式金属氧化物半导体感光组件及其所用的防护玻璃模块。

背景技术

互补式金属氧化物半导体(以下简称CMOS)被广泛使用在感光组件中,进而被应用在手机、车载镜头等领域。

此类CMOS感光组件常见的问题在于,当CMOS感光组件从阴暗处瞬间进入光亮处时(例如出入隧道时),CMOS容易产生噪声。为了解决这样的问题,目前有人提出将钼、铬等黑色金属蒸镀在CMOS感光组件的防护玻璃上,后续再通过涂布抗蚀剂、抗蚀剂图形化、将前述黑色金属加以蚀刻、最后将抗蚀剂加以剥离的制程,在防护玻璃上形成一遮光圈,藉此减少CMOS感光组件产生噪声的情形。

然而,前述制程有其缺陷在于,为了避免防护玻璃上留有蚀刻残留物,且为了形成边缘整齐的遮光圈,防护玻璃必须被长时间浸渍在蚀刻液中,而这导致防护玻璃表面易被一并蚀刻,造成后续产生反射光斑,且会降低分辨率。

另有人提出使用特制的钢板将遮光圈印刷在防护玻璃的制程,但此法容易衍生防护玻璃被钢板刮伤,且为了维持印刷的精准度,钢板每使用十至二十次就必须要做替换。

有鉴于此,如何解决前述问题,实有待本领域技术人员思量。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型提出一种能在防护玻璃上准确形成遮光圈的互补式金属氧化物半导体感光组件及其所用的防护玻璃模块。

为了达成上述及其他目的,本实用新型提供一种互补式金属氧化物半导体感光组件,其包括一斗状的壳体、一互补式金属氧化物半导体感光芯片、一防护玻璃及一遮光干膜圈,该壳体具有一开口部,该互补式金属氧化物半导体感光芯片设于该壳体内,该防护玻璃密封该壳体的开口部,且该防护玻璃具有一光入射面,该遮光干膜圈设于该防护玻璃的光入射面,且该遮光干膜圈中界定一光学区,该光学区正对该互补式金属氧化物半导体感光芯片。

为了达成上述及其他目的,本实用新型提供一种用于互补式金属氧化物半导体感光组件的防护玻璃模块,该互补式金属氧化物半导体感光组件包括一斗状的壳体及一互补式金属氧化物半导体感光芯片设于该壳体内,该防护玻璃模块包括一防护玻璃及一遮光干膜圈,该防护玻璃具有一光入射面,该遮光干膜圈设于该防护玻璃的光入射面,且该遮光干膜圈中界定一光学区,该光学区用以正对该互补式金属氧化物半导体感光芯片。

通过上述设计,本实用新型提出一种具有遮光干膜圈的互补式金属氧化物半导体感光组件,其遮光干膜圈容易成型,且不易损伤防护玻璃表面。

有关本实用新型的其它功效及实施例的详细内容,配合附图说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本实用新型防护玻璃模块其中一实施例的构成说明图;

图2为本实用新型互补式金属氧化物半导体感光组件其中一实施例的纵剖面示意图;

图3至图5为本实用新型防护玻璃模块其中一实施例的制作示意图。

符号说明

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