[实用新型]背接触太阳电池

说明书

本申请公开了一种背接触太阳电池，包括基底，基底的正面设置有正面钝化减反射层，基底的背面依次设置有背面隧穿钝化层、背面掺杂膜层及背面介质膜层，背面掺杂膜层包括p型掺杂膜层区域和n型掺杂膜层区域；p型掺杂膜层区域与n型掺杂膜层区域呈叉指状间隔排列或间隔排列，基底为p型基底；背面介质膜层设置有暴露n型掺杂膜层区域的负电极栅线图案，以及暴露p型掺杂膜层区域的正电极栅线图案；负电极栅线图案内形成有负极栅线，正电极栅线图案内形成有正极栅线，还包括负极连接电极和正极连接电极，负极连接电极连接多条负极栅线，正极连接电极连接多条正极栅线，正极栅线为铝栅线。解决现有IBC太阳电池成本较高、电池性能需要提高的问题。

技术领域

本实用新型一般涉及太阳能光伏发电技术领域，具体涉及一种背接触太阳电池。

背景技术

背接触太阳电池，又称为叉指状背接触(Interdigitated Back Contact；IBC)太阳电池，其属于背接触太阳电池的一种。IBC太阳电池最大的特点是发射区电极和基区电极都处于电池的背面，从而减少了遮光，提高了光电转换效率。太阳电池的增效和降低成本一直是需要持续进行的重要课题。

钝化接触结构在太阳电池方案中作为降低金属复合的重要方案，应用于各种电池结构中。在钝化接触结构中，掺杂膜层的掺杂浓度通常会影响电池的电极接触性能，掺杂膜层的掺杂溶度越高，则钝化层与栅线接触区的宽度将变得越薄，则接触区的电阻可以将的很小，电子更容易通过隧道效应贯穿势垒形成隧道电流。但是，在p型掺杂膜层的应用中，更易出现掺杂浓度较低无法形成良好接触的情况。

目前IBC太阳电池通常使用n型硅片作为基底材料，n型硅片目前商业化的成本仍然略高于p型硅片。此外，现有的IBC太阳电池通常使用银材料形成背面电极。银材料作为贵金属，其成本较高，不利于产业化成本的降低。银材料和掺杂层形成接触时，掺杂层的掺杂浓度越高，银材料的栅线和掺杂层的接触电阻会越低，即掺杂层的掺杂浓度越高，栅线和掺杂层才能有更好的接触。但是，由于n型硅片通常较难做到较高的掺杂浓度，使得接触区电阻较大，影响电池性能。

实用新型内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种背接触太阳电池，至少用以解决现有IBC太阳电池成本较高、电池性能需要提高的问题。

第一方面，本实用新型提供一种背接触太阳电池，包括基底，所述基底的正面设置有正面钝化减反射层，所述基底的背面依次设置有背面隧穿钝化层、背面掺杂膜层及背面介质膜层，所述背面掺杂膜层包括p型掺杂膜层区域和n型掺杂膜层区域；所述p型掺杂膜层区域与所述n型掺杂膜层区域呈叉指状间隔排列或间隔排列，所述基底为p型基底；所述背面介质膜层设置有暴露所述n型掺杂膜层区域的负电极栅线图案，以及暴露所述p型掺杂膜层区域的正电极栅线图案；所述负电极栅线图案内形成有负极栅线，所述正电极栅线图案内形成有正极栅线，还包括负极连接电极和正极连接电极，所述负极连接电极连接多条所述负极栅线，所述正极连接电极连接多条所述正极栅线，所述正极栅线为铝栅线。

进一步地，所述负极栅线为银栅线，所述银栅线的宽度为10um～100um。

进一步地，所述铝栅线的宽度为20um～200um。

进一步地，所述n型掺杂膜层区域的宽度为0.08～3mm，所述p型掺杂膜层区域的宽度为0.05～1mm。

进一步地，所述背面掺杂膜层的材料包括多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一种或任意两种以上组合。

进一步地，所述n型掺杂膜层区域掺杂有VA族元素，所述p型掺杂膜层区域掺杂有IIIA族元素。

进一步地，所述VA族元素的掺杂浓度为1×10¹⁷～5×10²¹cm^-3，所述IIIA族元素的掺杂浓度为1×10¹⁷～5×10²⁰cm^-3。