[实用新型]板式地电极及板式地电极组件有效

专利信息
申请号: 201920182637.5 申请日: 2019-02-01
公开(公告)号: CN209522574U 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: 张宽照 申请(专利权)人: 华贸中经环保科技(天津)有限公司
主分类号: C01B13/11 分类号: C01B13/11
代理公司: 北京金知睿知识产权代理事务所(普通合伙) 11379 代理人: 林俐
地址: 301712 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 板式 地电极 长形凹槽 凹陷区 长孔 本实用新型 平面凸台 单件式 单件式本体 第二表面 流体通道 体内 延伸
【权利要求书】:

1.一种板式地电极,其特征是,包括单件式的本体,所述板式地电极还包括在所述单件式本体的第一和第二表面中的至少一个内形成凹陷区以及在所述凹陷区中分别位于两侧边的第一长孔/长形凹槽和第二长孔/长形凹槽,所述板式地电极还包括位于所述凹陷区中的横向于所述第一和第二长孔/长形凹槽延伸的多个平面凸台和在平面凸台之间的凹槽,所述板式地电极还包括在所述单件式本体内形成的流体通道。

2.根据权利要求1所述的板式地电极,其特征是,所述凹陷区在其角部具有过度倒圆部。

3.根据权利要求1或2所述的板式地电极,其特征是,所述平面凸台的宽高比为2:1至50:1。

4.根据权利要求1或2所述的板式地电极,其特征是,所述凹槽的宽高比为10:1至200:1。

5.根据权利要求1或2所述的板式地电极,其特征是,所述板式地电极还包括用于与所述长孔/长形凹槽和/或流体通道相通的加工孔和选择性地封闭所述加工孔的封堵元件。

6.根据权利要求1或2所述的板式地电极,其特征是,所述板式地电极还包括在所述单件式本体内形成的用于连通相邻的板式地电极的流体通道的连通孔。

7.根据权利要求1或2所述的板式地电极,其特征是,所述板式地电极的流体通道包括多个平行的竖向流体通道和位于顶部和底部的连通所述竖向流体通道的连通长形凹槽。

8.根据权利要求1或2所述的板式地电极,其特征是,所述板式地电极包括在所述单件式本体的第一表面内形成的第一凹陷区和在第二表面内形成的第二凹陷区,所述板式地电极具有位于所述第一和第二凹陷区内的所述第一长孔和第二长孔。

9.根据权利要求8所述的板式地电极,其特征是,所述第一凹陷区比第二凹陷区深。

10.根据权利要求8所述的板式地电极,其特征是,所述板式地电极具有位于第一表面的用于容纳高压电极组件的接头部的顶部容纳槽。

11.根据权利要求1或2所述的板式地电极,其特征是,所述板式地电极包括在所述单件式本体的第一表面内形成的第一凹陷区,所述板式地电极具有位于所述第一凹陷区内的所述第一长形凹槽和第二长形凹槽。

12.根据权利要求11所述的板式地电极,其特征是,所述板式地电极包括从所述单件式本体的第二表面延伸至所述第一长形凹槽的进气/出气口。

13.根据权利要求11所述的板式地电极,其特征是,所述板式地电极具有位于第一表面的用于容纳高压电极组件的接头部的顶部容纳槽。

14.根据权利要求1或2所述的板式地电极,其特征是,所述板式地电极包括在所述单件式本体的第二表面内形成的第二凹陷区,所述板式地电极具有位于所述第二凹陷区内的所述第一长形凹槽和第二长形凹槽。

15.根据权利要求14所述的板式地电极,其特征是,所述板式地电极包括从所述单件式本体的第一表面延伸至所述第二长形凹槽的出气/进气口。

16.一种板式地电极组件,其特征是,包括叠置的第一端部地电极、第二端部地电极和至少一个中间地电极,其中所述第一端部地电极为根据权利要求11至13之一所述的板式地电极,所述第二端部地电极为根据权利要求14或15所述的板式地电极,所述中间地电极为根据权利要求8至10之一所述的板式地电极,其中,所述第一端部地电极、第二端部地电极和至少一个中间地电极的所述第一长孔和第一长形凹槽形成贯穿的第一长形进腔,所述第一端部地电极、第二端部地电极和至少一个中间地电极的所述第二长孔和第二长形凹槽形成贯穿的第二长形气腔。

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