[实用新型]一种高压功率半导体开关驱动装置有效
| 申请号： | 201920174826.8 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN209313740U | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 肖彦;吴拥军;曾庆泉;罗泽泉;邹宗林 | 申请（专利权）人： | 湖北台基半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/219 | 分类号： | H02M7/219 |
| 代理公司： | 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 | 代理人： | 严崇姚 |
| 地址： | 441021 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直线型脉冲变压器 半导体开关 高压功率 主控系统 驱动输出单元 本实用新型 驱动装置 纳米晶 磁环 多路 高压功率半导体器件 应用技术领域 高绝缘电缆 功率半导体 驱动 并联连接 多路驱动 加速电容 开关电路 脉冲器件 门极电流 输出电路 限流电阻 串并联 上升率 抖动 门极 穿过 应用 | ||
1.一种高压功率半导体开关驱动装置，其特征在于：由主控系统（1）、直线型脉冲变压器（2）和驱动输出单元（3）三部分组成；其中，所述主控系统（1）为开关电路；所述直线型脉冲变压器（2）由高绝缘电缆（5）及其穿过的多路纳米晶磁环（6）构成；所述主控系统（1）与直线型脉冲变压器（2）之间并联连接限流电阻（R1）和加速电容（C1）；所述驱动输出单元（3）设有与多路纳米晶磁环（6）对应连接的多路驱动输出电路。
2.根据权利要求1所述的一种高压功率半导体开关驱动装置，其特征在于：所述的开关电路为IGBT开关电路，包括IGBT器件；IGBT集电极经续流二极管（D1）与一个直流电源电路连接；IGBT栅极与信号输入端之间设有依次连接的光纤头（4）、三极管放大电路和二级推挽放大电路；IGBT发射极与直流电源电路负端相连。
3.根据权利要求1或2所述的一种高压功率半导体开关驱动装置，其特征在于：所述的多路驱动输出电路为多路二极管整流电路。
4.根据权利要求3所述的一种高压功率半导体开关驱动装置，其特征在于：所述的二极管整流电路包括纳米晶磁环（6）一输出端与待控功率半导体器件G端之间正向串接的二极管（D2、D4）和电阻（R7、R8），纳米晶磁环（6）另一输出端与待控功率半导体器件K端连接，纳米晶磁环（6）一输出端与另一输出端之间反接二极管（D3、D5）。
5.根据权利要求2所述的一种高压功率半导体开关驱动装置，其特征在于：所述的高绝缘电缆（5）的两端与续流二极管（D1）的两端通过并联连接的限流电阻（R1）和加速电容（C1）对应连接。
6.根据权利要求2所述的一种高压功率半导体开关驱动装置，其特征在于：所述的直流电源电路由整流电路和滤波电路构成，整流电路的输入端为市电连接端。
7.根据权利要求2所述的一种高压功率半导体开关驱动装置，其特征在于：所述的二级推挽放大电路采用正负电源（+VCC、-VCC）。
8.根据权利要求6所述的一种高压功率半导体开关驱动装置，其特征在于：所述的整流电路为整流桥；所述的滤波电路由电容（C2）构成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北台基半导体股份有限公司，未经湖北台基半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920174826.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高频隔离型交直流变换电路
- 下一篇：一种多机逆变器电路
