[实用新型]像素排布结构及显示器有效
申请号: | 201920172269.6 | 申请日: | 2019-01-31 |
公开(公告)号: | CN209232791U | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 杜晓松;杨小龙;周文斌;孙剑;高裕弟 | 申请(专利权)人: | 昆山梦显电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 苏州携智汇佳专利代理事务所(普通合伙) 32278 | 代理人: | 尹丽 |
地址: | 215301 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子单元 像素排布结构 镜像设置 像素排布 列方向 像素 显示器 本实用新型 工艺过程 交替重复 像素集中 重复排列 分辨率 微显示 掩膜板 子像素 开孔 两排 蒸镀 应用 | ||
1.一种像素排布结构,其特征在于,包括多个第一重复单元和第二重复单元,所述第一重复单元与所述第二重复单元均包括八个子像素,所述第一重复单元的八个子像素的排布与所述第二重复单元的八个子像素的排布在列方向上呈镜像设置;所述第一重复单元包括第一子单元和第二子单元,所述第一子单元与所述第二子单元的像素排布在行方向上呈镜像设置;所述第一子单元包括均分为两排设置的四个颜色不同的子像素;多个所述第一重复单元在行方向上重复排列,多个所述第二重复单元与所述第一重复单元在列方向上交替重复排列,使得不同重复单元中颜色相同的四个子像素集中设置。
2.根据权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于:相邻的所述子像素之间的间距小于或等于30um。
3.根据权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于:单个所述子像素的边长的取值范围为5~20um。
4.根据权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于:颜色相同的所述四个子像素之间设有“十”字型的隔离区。
5.根据权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于:颜色相同的所述四个子像素共用一个掩膜板开口。
6.根据权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于:每个子像素与相邻的三个颜色不同的子像素构成一个显像像素。
7.根据权利要求6所述的像素排布结构,其特征在于:所述显像像素的形状为正方形,所述四个子像素分别位于所述正方形的四个顶角。
8.根据权利要求7所述的像素排布结构,其特征在于:所述显像像素的四个子像素分别为一个红色子像素、一个绿色子像素、一个蓝色子像素以及一个白色子像素。
9.根据权利要求8所述的像素排布结构,其特征在于:在同一个所述显像像素中,所述红色子像素与所述白色子像素呈对角设置,所述蓝色子像素与所述绿色子像素呈对角设置。
10.一种显示器,包括驱动背板和设置于所述驱动背板上的像素,其特征在于:所述像素具有如权利要求1-9中任一权利要求所述的像素排布结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的