[实用新型]一种具有ODR的倒装VCSEL芯片有效
| 申请号： | 201920164730.3 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN209217431U | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 贾钊;赵炆兼;郭冠军;曹广亮;赵丽 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 欧姆接触层 金属反射层 导电层 源层 本实用新型 倒装 结构实现 散热性好 限制电流 制作工艺 全反射 氧化层 电极 环绕 | ||
1.一种具有ODR的倒装VCSEL芯片，其特征在于，包括：导电层；设置于所述导电层上的金属反射层；分别设置于所述金属反射层远离所述导电层一侧的欧姆接触层和绝缘层，所述绝缘层环绕所述欧姆接触层分布；设置于所述欧姆接触层和所述绝缘层远离所述金属反射层一侧的第一DBR层；设置于所述第一DBR层远离所述欧姆接触层和所述绝缘层一侧的有源层；设置于所述有源层远离所述第一DBR层一侧的第二DBR层；以及设置于所述第二DBR层远离所述有源层一侧的电极。
2.根据权利要求1所述的具有ODR的倒装VCSEL芯片，其特征在于，所述导电层的材质包括金属。
3.根据权利要求2所述的具有ODR的倒装VCSEL芯片，其特征在于，所述导电层的材质包括铜或铜钨合金。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的具有ODR的倒装VCSEL芯片，其特征在于，所述导电层的厚度为100-200um。
5.根据权利要求1所述的具有ODR的倒装VCSEL芯片，其特征在于，所述第一DBR层为P-DBR层，所述第二DBR层为N-DBR层。
6.根据权利要求1所述的具有ODR的倒装VCSEL芯片，其特征在于，所述欧姆接触层包括GaAs层。
7.根据权利要求1所述的具有ODR的倒装VCSEL芯片，其特征在于，所述绝缘层的材质包括SiO2。
8.根据权利要求1所述的具有ODR的倒装VCSEL芯片，其特征在于，所述金属反射层的材质包括Au、Ag或Al。
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